Unter Dotierung versteht man das gezielte Einbringen geringer Mengen geeigneter Fremdatome in einen Halbleitergrundstoff. Dadurch entstehen zusätzliche freie Ladungsträger, wodurch sich die elektrische Leitfähigkeit gezielt beeinflussen lässt.

Je nach Art der Fremdatome entstehen dabei Elektronenüberschuss (n-Dotierung) oder Elektronenmangel bzw. „Löcher“ (p-Dotierung).