P-leitendes Halbleitermaterial besitzt einen Überschuss an sogenannten „Löchern“ beziehungsweise Elektronenfehlstellen. Diese entstehen durch Dotierung mit dreiwertigen Fremdatomen, beispielsweise Bor.
Die Löcher verhalten sich wie positive bewegliche Ladungsträger und übernehmen den Stromtransport im p-leitenden Material.
