Die Durchlassspannung einer Halbleiterdiode ist temperaturabhängig. Mit steigender Temperatur benötigen die Ladungsträger weniger Energie, um die Sperrschicht zu überwinden.

Dadurch sinkt die Durchlassspannung einer Siliziumdiode typischerweise um etwa $\qty{2}{\milli\volt\per\celsius}$.