Bauelemente
Navigationshilfe
Diese Navigationshilfe zeigt die ersten Schritte zur Verwendung der Präsention. Sie kann mit ⟶ (Pfeiltaste rechts) übersprungen werden.
Navigation
Zwischen den Folien und Abschnitten kann man mittels der Pfeiltasten hin- und herspringen, dazu kann man auch die Pfeiltasten am Computer nutzen.
- Pfeil runter und hoch: Nächste / Vorherige Folie
- Pfeil rechts und links: Nächster / Vorheriger Abschnitt
- Leertaste oder „n“: Der Reihe nach alle Elemente in Folien aufdecken oder zur nächsten Folie blättern
- Shift-Leertaste oder „p“: Der Reihe nach Elemente rückwärts zudecken oder zur vorherigen Folie blättern
Weitere Funktionen
Mit ein paar Tastenkürzeln können weitere Funktionen aufgerufen werden. Die wichtigsten sind:
- F1
- Help / Hilfe
- o
- Overview / Übersicht aller Folien
- s
- Speaker View / Referentenansicht
- f
- Full Screen / Vollbildmodus
- b
- Break, Black, Pause / Ausblenden der Präsentation
- Alt-Click
- In die Folie hin- oder herauszoomen
Übersicht
Die Präsentation ist zweidimensional aufgebaut. Dadurch sind in Spalten die einzelnen Abschnitte eines Kapitels und in den Reihen die Folien zu den Abschnitten.
Tippt man ein „o“ ein, bekommt man eine Übersicht über alle Folien des jeweiligen Kapitels. Das hilft sich zunächst einen Überblick zu verschaffen oder sich zu orientieren, wenn man das Gefühlt hat sich „verlaufen“ zu haben. Die Navigation erfolgt über die Pfeiltasten.
Durch Anklicken einer Folie wird diese präsentiert.
Referentenansicht
Tippt man ein „s“ ein, bekommt man ein neues Fenster, die Referentenansicht.
Indem man „Layout“ auswählt, kann man zwischen verschieden Anordnungen der Elemente auswählen.
Die Referentenansicht bietet folgende Elemente:
- Links sieht man die aktuelle Folie
- Rechts oben sieht man die nächste Folie
- Rechts in der Mitte Hilfsmittel zur Zeiteinteilung
- Rechts unten, die „Notizen für den Vortragenden“
- Unten die Pfeile zur Navigation
Praxistipps zur Referentenansicht
- Wenn man mit einem Projektor arbeitet, stellt man im Betriebssystem die Nutzung von 2 Monitoren ein: Die Referentenansicht wird dann zum Beispiel auf dem Laptop angezeigt, während die Teilnehmer die Präsentation angezeigt bekommen.
- Bei einer Online-Präsentation, wie beispielsweise auf TREFF.darc.de präsentiert man den Browser-Tab und navigiert im „Speaker View“ Fenster.
- Die Referentenansicht bezieht sich immer auf ein Kapitel. Am Ende des Kapitels muss sie geschlossen werden, um im neuen Kapitel eine neue Referentenansicht zu öffnen.
- Um mit dem Mauszeiger etwas zu markieren oder den Zoom zu verwenden, muss mit der Maus auf den Bildschirm mit der Präsentation gewechselt werden.
Vollbild
Tippt man ein „f“ ein, wird die aktuelle Folie im Vollbild angezeigt. Mit „Esc“ kann man diesen wieder verlassen.
Das ist insbesondere für den Bildschirm mit der Präsentation für das Publikum praktisch.
Ausblenden
Tippt man ein „b“ ein, wird die Präsentation ausgeblendet.
Sie kann wie folgte wieder eingeblendet werden:
- Durch klicken in das Fenster.
- Durch nochmaliges Drücken von „b“.
- Durch klicken der Schaltfläche „Resume presentation:
Zoom
Bei gedrückter Alt-Taste und einem Mausklick in der Präsentation wird in diesen Teil hineingezoomt. Das ist praktisch, um Details von Schaltungen hervorzuheben. Durh einen nochmaligen Mausklick zusammen mit Alt wird wieder herausgezoomt.
Das Zoomen funktioniert nur im ausgewählten Fenster. Die Referentenansicht ist hier nicht mit dem Präsenationsansicht gesynct.
Phase
A: $3π;
B: $\dfrac{3π}{4};
C: $\dfrac{3π}{2};
D: $\dfrac{π}{3};
A:
B:
C:
D:
Kondensator II
A: Der Strom eilt der Spannung um
B: Die Spannung eilt dem Strom um
C: Der Strom eilt der Spannung um
D: Die Spannung eilt dem Strom um
A: positiv und abhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
B: negativ und unabhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
C: positiv und unabhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
D: negativ und abhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
A: Der NTC-Widerstand
B: Der Blindwiderstand
C: Der Metalloxidwiderstand
D: Der Wirkwiderstand
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $C = 10pF$
- gegeben: $f = 100MHz$
- gesucht: $X_{\textrm{C}}$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 100MHz \cdot 10pF}\\ &\approx 159\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $C = 100pF$
- gegeben: $f = 100MHz$
- gesucht: $X_{\textrm{C}}$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 100MHz \cdot 100pF}\\ &\approx 15,9\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $C = 50pF$
- gegeben: $f = 145MHz$
- gesucht: $X_{\textrm{C}}$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 145MHz \cdot 50pF}\\ &\approx 22\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $C = 100pF$
- gegeben: $f = 435MHz$
- gesucht: $X_{\textrm{C}}$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 435MHz \cdot 100pF}\\ &\approx 3,7\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $U = 16V$
- gegeben: $I = 32mA$
- gegeben: $f = 50Hz$
- gesucht: $C$
$X_{\textrm{C}} = \frac{U}{I} = \frac{16V}{32mA} = 500\Omega$
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} \\ \nonumber \Rightarrow C &= \frac{1}{\omega \cdot X_{\textrm{C}}} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot X_{\textrm{C}}}\\ \nonumber &= \frac{1}{2\pi \cdot 50Hz \cdot 500\Omega}\\ \nonumber &\approx 6,37\mu F\end{align}\end{equation}$$
A: Ja, infolge des Blindwiderstands
B: Ja, infolge von Verlusten in Dielektrikum und Zuleitung
C: Nein, bei Wechselstrom treten keine Verluste auf.
D: Nein, beim Kondensator handelt es sich um eine reine Blindleistung.
A: den relativen Blindwiderstand in Ohm pro Farad angegeben, mit dem die Kondensatorgüte berechnet werden kann.
B: den relativen Verlustwiderstand in Ohm pro Farad angegeben, mit dem die Kondensatorgüte berechnet werden kann.
C: den Verlustfaktor tan $\delta$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
D: den Verlustfaktor cos $\phi$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
A:
B:
C:
D: Näherungsweise
Spule II
A: Ohm
B: Siemens
C: Henry
D: Farad
A: um
B: um
C: um
D: um
A: positiv und abhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
B: negativ und unabhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
C: negativ und abhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
D: positiv und unabhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
A: Beim Betrieb mit Gleich- oder Wechselspannung wirkt nur der ohmsche Widerstand $X_{\textrm{L}}$ der Spule. Der Strom bleibt gleich.
B: Beim Betrieb mit Gleichspannung wirkt nur der Gleichstromwiderstand der Spule. Beim Betrieb mit Wechselspannung wird der induktive Widerstand $X_{\textrm{L}}$ wirksam und erhöht den Gesamtwiderstand. Der Strom wird kleiner.
C: Beim Betrieb mit Gleichspannung wirkt nur der Gleichstromwiderstand der Spule. Beim Betrieb mit Wechselspannung wirkt nur der kleinere induktive Widerstand $X_{\textrm{L}}$. Der Strom wird größer.
D: Beim Betrieb mit Wechselspannung wirkt nur der Wechselstromwiderstand der Spule. Beim Betrieb mit Gleichspannung wird nur der ohmsche Widerstand $X_{\textrm{L}}$ wirksam. Der Strom wird größer.
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $L = 3\mu H$
- gegeben: $f = 100MHz$
- gesucht: $X_{\textrm{L}}$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{L}} &= \omega \cdot L = 2\pi \cdot f \cdot L\\ &= 2\pi \cdot 100MHz \cdot 3\mu H\\ &\approx 1885\Omega \end{split}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $N = 14$
- gegeben: $A_{\textrm{L}} = 1,5nH$
- gesucht: $L$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ &= 14^2 \cdot 1,5nH\\ &= 0,294\mu H \end{split}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $N = 300$
- gegeben: $A_{\textrm{L}} = 1250nH$
- gesucht: $L$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ &= 300^2 \cdot 1250nH\\ &= 112,5mH \end{split}\end{equation}$$
A: 89
B: 2828
C: 53
D: 3
Lösungsweg
- gegeben: $L = 2mH$
- gegeben: $A_{\textrm{L}} = 250nH$
- gesucht: $N$
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ \nonumber N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}}}} = \sqrt{\frac{2mH}{250nH}} \\ \nonumber &= 89\ \textrm{Windungen} \end{align}\end{equation}$$
A: 6
B: 400
C: 360
D: 20
Lösungsweg
- gegeben: $L = 12\mu H$
- gegeben: $A_{\textrm{L}} = 30nH$
- gesucht: $N$
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ \nonumber N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}}}} = \sqrt{\frac{12\mu H}{30nH}} \\ \nonumber &= 20\ \textrm{Windungen} \end{align}\end{equation}$$
A: der relative Verlustwiderstand in Ohm pro Henry angegeben, mit dem die Spulengüte berechnet werden kann.
B: der Verlustfaktor tan $\delta$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
C: der relative Blindwiderstand in Ohm pro Henry angegeben, mit dem die Spulengüte berechnet werden kann.
D: der Verlustfaktor cos $\varphi$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
A: einen abgestimmten Kunststoffkern aufweisen.
B: in einem leitenden Metallgehäuse untergebracht werden.
C: in einem isolierenden Kunststoffgehäuse untergebracht werden.
D: einen hohlen Kupferkern aufweisen.
A: Stahl bestehen.
B: Kunststoff bestehen.
C: diamagnetischem Material bestehen.
D: Ferrit bestehen.
Übertrager II
A: sich die Spule in einem konstanten Magnetfeld befindet.
B: ein veränderlicher Strom durch die Spule fließt und sich dabei ein dielektrischer Gegenstand innerhalb der Spule befindet.
C: ein konstanter Gleichstrom durch eine magnetisch gekoppelte benachbarte Spule fließt.
D: ein veränderlicher Strom durch eine magnetisch gekoppelte benachbarte Spule fließt.
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $U_P = 230V$
- gegeben: $U_S = 6V$
- gegeben: $I_S = 1,15A$
- gesucht: $I_P$
$$\begin{equation}\begin{align} \nonumber \frac{U_P}{U_S} &= \frac{I_S}{I_P} \\ \nonumber \Rightarrow I_P &= \frac{I_S \cdot U_S}{U_P} = \frac{1,15A \cdot 6V}{230V} \\ \nonumber &= 30mA \end{align}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $Z_S = 16k\Omega$
- gegeben: $ü = \frac{1}{4}$
- gesucht: $Z_P$
$$\begin{equation}\begin{align} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} \\ \nonumber \Rightarrow Z_P &= ü^2 \cdot Z_S = \frac{1^2}{4^2} \cdot 16k\Omega \\ \nonumber &= \frac{16k\Omega}{16} = 1k\Omega \end{align}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $Z_S = 6,4k\Omega$
- gegeben: $ü = \frac{1}{4}$
- gesucht: $Z_P$
$$\begin{equation}\begin{align} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} \\ \nonumber \Rightarrow Z_P &= ü^2 \cdot Z_S = \frac{1^2}{4^2} \cdot 6,4k\Omega \\ \nonumber &= \frac{6,4k\Omega}{16} = 0,4k\Omega \end{align}\end{equation}$$
A: 4:1 verwendet werden.
B: 3:1 verwendet werden.
C: 16:1 verwendet werden.
D: 9:1 verwendet werden.
Lösungsweg
- gegeben: $Z_P = 450\Omega$
- gegeben: $Z_S = 50\Omega$
- gesucht: $ü$
$$\begin{equation}\begin{split} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{450\Omega}{50\Omega}} \\ &= \sqrt{\frac{9}{1}} = \frac{3}{1} \end{split}\end{equation}$$
A: 1:7 aufweisen.
B: 1:14 aufweisen.
C: 1:49 aufweisen.
D: 1:3 aufweisen.
Lösungsweg
- gegeben: $Z_P = 50\Omega$
- gegeben: $Z_S = 2,5k\Omega$
- gesucht: $ü$
$$\begin{equation}\begin{split} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{50\Omega}{2,5k\Omega}} \\ &= \sqrt{\frac{1}{50}} \approx \frac{1}{7} \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $d = 0,5mm$
- gegeben: Stromdichte $\frac{I}{A} = \frac{2,5A}{1mm^2}$
- gesucht: $I_{max}$
$A_{Dr} = \frac{d^2 \cdot \pi}{4} = \frac{(0,5mm)^2 \cdot \pi}{4} \approx 0,196mm^2$
$I_{max} = \frac{I}{A} \cdot A_{Dr} = \frac{2,5A}{1mm^2} \cdot 0,196mm^2 = 0,49A$
Diode II
A: den Elektronenfluss von P nach N.
B: den Elektronenfluss von N nach P.
C: die Halbierung des Stromflusses.
D: keinen Stromfluss.
A: Die Spannung oszilliert mit steigender Temperatur.
B: Die Spannung sinkt bei steigender Temperatur.
C: Die Spannung ist unabhängig von der Temperatur.
D: Die Spannung steigt bei steigender Temperatur.
A: Sie nimmt mit abnehmendem Durchlassstrom zu.
B: Sie nimmt mit zunehmendem Durchlassstrom zu.
C: Sie nimmt mit zunehmender Sperrspannung zu.
D: Sie nimmt mit abnehmender Sperrspannung zu.
A: Kapazitätsdiode
B: Fotowiderstand
C: Fotodiode
D: Blindwiderstand
A: die Signalanzeige durch Licht.
B: die Erzeugung von hochfrequentem Wechselstrom durch Licht.
C: die galvanische Entkopplung zweier Stromkreise durch Licht.
D: die Erzeugung von Gleichstrom durch Licht.
Transistor II
Bipolarer Transistor
A: stromgesteuert.
B: feldgesteuert.
C: thermisch gesteuert.
D: spannungsgesteuert.
A: Kollektor
B: Emitter
C: Basis
D: Gehäuse
A: Kollektor
B: Gehäuse
C: Basis
D: Emitter
A: in Durchlassrichtung.
B: im Leerlauf.
C: im Kurzschluss.
D: in Sperrrichtung.
Rechnungen
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $U = 12V$
- gegeben: $I_{\textrm{C}} = 5mA$
- gegeben: $B = 298$
- gegeben: $U_{\textrm{BE}} = 0,6V$
- gesucht: $R_1$
$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{5mA}{298} = 16,779\mu A$
$R_1 = \frac{U-U_{\textrm{BE}}}{I_{\textrm{B}}} = \frac{12V – 0,6V}{16,779\mu A} \approx 680k\Omega$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $U = 10V$
- gegeben: $I_{\textrm{C}} = 2mA$
- gegeben: $B = 200$
- gegeben: $U_{\textrm{R2}} = 0,6$
- gegeben: $I_{\textrm{R2}} = 10 \cdot I_{\textrm{B}}$
- gesucht: $R_1$
$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{2mA}{200} = 10\mu A$
$U_{\textrm{R1}} = U – U_{\textrm{R2}} = 10V – 0,6V = 9,4V$
$I_{\textrm{R1}} = I_{\textrm{B}} + I_{\textrm{R2}} = I_{\textrm{B}} + 10 \cdot I_{\textrm{B}} = 110\mu A$
$R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{9,4V}{110\mu A} \approx 85,5k\Omega$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $U = 10V$
- gegeben: $I_{\textrm{C}} = 2mA$
- gegeben: $B = 200$
- gegeben: $U_{\textrm{BE}} = 0,6V$
- gegeben: $U_{\textrm{RE}} = 1V$
- gegeben: $I_{\textrm{R2}} = 10 \cdot I_{\textrm{B}}$
- gesucht: $R_1$
$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{2mA}{200} = 10\mu A$
$U_{\textrm{R2}} = U_{\textrm{BE}} + U_{R_{\textrm{E}}} = 0,6V + 1V = 1,6V$
$U_{\textrm{R1}} = U – U_{\textrm{R2}} = 10V – 1,6V = 8,4V$
$I_{\textrm{R1}} = I_{\textrm{B}} + I_{\textrm{R2}} = I_{\textrm{B}} + 10 \cdot I_{\textrm{B}} = 110\mu A$
$R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{8,4V}{110\mu A} \approx 76,4k\Omega$
A: Damit $R_2$ eine Spannungsgegenkopplung bewirkt
B: Damit $R_2$ eine Stromgegenkopplung bewirkt.
C: Damit sich der Basisstrom bei Erwärmung nicht ändert.
D: Damit der Arbeitspunkt stabil bleibt.
A: Der Kollektorstrom steigt stark an. Die Kollektorspannung erhöht sich.
B: Es fließt kein Kollektorstrom mehr. Die Kollektorspannung steigt auf die Betriebsspannung an.
C: Der Kollektorstrom wird nur durch $R_{\textrm{C}}$ begrenzt. Die Kollektorspannung sinkt auf zirka
D: Es fließt Kurzschlussstrom. Der Transistor wird zerstört.
A: Es fließt Kurzschlussstrom. Der Transistor wird zerstört.
B: Der Kollektorstrom wird nur durch $R_{\textrm{C}}$ begrenzt. Die Kollektorspannung sinkt auf zirka
C: Der Kollektorstrom steigt stark an. Die Kollektorspannung erhöht sich.
D: Es fließt kein Kollektorstrom mehr. Die Kollektorspannung steigt auf die Betriebsspannung an.
Feldeffekttransistor
A: stromgesteuert.
B: optisch gesteuert.
C: spannungsgesteuert.
D: leistungsgesteuert.
A: Lautsprecher
B: Diode
C: Bipolartransistor
D: Feldeffekttransistor
A: 1: Anode, 2: Kathode, 3: Gate
B: 1: Anode, 2: Kollektor, 3: Gate
C: 1: Kollektor, 2: Emitter, 3: Basis
D: 1: Drain, 2: Source, 3: Gate
A: Emitter, Basis, Kollektor
B: Drain, Gate, Source
C: Gate, Source, Kollektor
D: Emitter, Drain, Source
A: Die Gate-Source-Spannung steuert den Widerstand des Kanals zwischen Source und Drain.
B: Der Gatestrom steuert den Drainstrom.
C: Der Gatestrom steuert den Widerstand des Kanals zwischen Source und Drain.
D: Die Gate-Source-Spannung steuert den Gatestrom.
Bauarten FET
A: 1: Selbstleitender P-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstleitender N-Kanal-Sperrschicht-FET
B: 1: Selbstsperrender N-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstsperrender P-Kanal-Sperrschicht-FET
C: 1: Selbstleitender N-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstleitender P-Kanal-Sperrschicht-FET
D: 1: Selbstsperrender P-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstsperrender N-Kanal-Sperrschicht-FET
A: Selbstsperrender N-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
B: Selbstleitender P-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
C: Selbstleitender N-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
D: Selbstsperrender P-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
Rechnungen
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $U_{\textrm{B}} = 44V$
- gegeben: $R_1 = 10k\Omega$
- gegeben: $R_2 = 1k\Omega$
- gegeben: $R_3 = 2,2k\Omega$
- gesucht: $U_{\textrm{GS}}$
- Ansatz: Spannungsteiler über $R_1$ und $R_2$, mit $U_{\textrm{GS}} = U_{\textrm{R2}}$
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{B}}} &= \frac{R_2}{R_1+R_2}\\ \nonumber \Rightarrow U_{\textrm{R2}} &= \frac{R_2}{R_1+R_2} \cdot U_{\textrm{G}}\\ \nonumber &= \frac{1k\Omega}{10k\Omega+1k\Omega} \cdot 44V\\ \nonumber &= \frac{1}{11} \cdot 44V = 4V \end{align}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $U_{\textrm{B}} = 44V$
- gegeben: $R_1 = 10k\Omega$
- gegeben: $R_3 = 2,2k\Omega$
- gegeben: $U_{\textrm{GS}} = U_{\textrm{R2}} = 2,8V$
- gegeben: $U_{\textrm{B}} = U_{\textrm{R1}} + U_{\textrm{R2}}$
- gesucht: $R_2$
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber \frac{U_{\textrm{R1}}}{U_{\textrm{R2}}} &= \frac{R_1}{R_2}\\ \nonumber \Rightarrow R_2 &= R_1 \cdot \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{R1}}}\\ \nonumber &= R_1 \cdot \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{B}}-U_{\textrm{GS}}}\\ \nonumber &= 10k\Omega \cdot \frac{2,8V}{44V-2,8V}\\ \nonumber &\approx 680\Omega \end{align}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $R_{\textrm{DSon}} = 4m\Omega$
- gegeben: $I = 25A$
- gesucht: $P$
$P = I^2 \cdot R = 25^2A \cdot 4m\Omega = 2,5W$
Freilaufdiode
Halbleiter II
A: Sie bleiben im N-Bereich.
B: Sie wandern von N nach P.
C: Sie zerfallen beim Übergang.
D: Sie wandern von P nach N.
A: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Leiter. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bismut, Tellur) fällt ihr Widerstand auf den halben Wert.
B: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Leiter. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bor, Phosphor) oder bei hohen Temperaturen nimmt jedoch ihre Leitfähigkeit ab.
C: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Elektrolyten. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bismut, Tellur) kann man daraus entweder N-leitendes- oder P-leitendes Material für Anoden bzw. Kathoden von Batterien herstellen.
D: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Isolatoren. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bor, Phosphor) oder bei hohen Temperaturen werden sie jedoch zu Leitern.
A: Das Entfernen von Verunreinigungen aus einem Halbleitergrundstoff, um Elektronen zu generieren.
B: Das Entfernen von Atomen aus dem Halbleitergrundstoff, um die elektrische Leitfähigkeit zu senken.
C: Das Einbringen von chemisch anderswertigen Fremdatomen in einen Halbleitergrundstoff, um freie Ladungsträger zur Verfügung zu stellen.
D: Das Einbringen von magnetischen Nord- oder Südpolen in einen Halbleitergrundstoff, um die Induktivität zu erhöhen.
A: einen Überschuss an beweglichen Elektronen.
B: einen Überschuss an beweglichen Elektronenlöchern.
C: ein Fehlen von Atomen im Gitter des Halbleiterkristalls.
D: ein Fehlen von Dotierungsatomen.
A: ein Fehlen von Atomen im Gitter des Halbleiterkristalls.
B: ein Fehlen von Dotierungsatomen.
C: einen Überschuss an beweglichen Elektronen.
D: einen Überschuss an beweglichen Elektronenlöchern.
A: An der Grenzschicht wandern Atome aus dem P-Teil in den N-Teil. Dadurch wird auf der P-Seite der Atommangel abgebaut, auf der N-Seite der Atommangel vergrößert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine leitende Schicht.
B: An der Grenzschicht wandern Atome aus dem N-Teil in den P-Teil. Dadurch wird auf der N-Seite der Atommangel abgebaut, auf der P-Seite der Atommangel vergrößert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine leitende Schicht.
C: An der Grenzschicht wandern Elektronen aus dem N-Teil in den P-Teil. Dadurch wird auf der N-Seite der Elektronenüberschuss teilweise abgebaut, auf der P-Seite der Elektronenmangel teilweise neutralisiert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine isolierende Schicht.
D: An der Grenzschicht wandern Elektronen aus dem P-Teil in den N-Teil. Dadurch wird auf der P-Seite der Elektronenüberschuss teilweise abgebaut, auf der N-Seite der Elektronenmangel teilweise neutralisiert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine isolierende Schicht.
A: Sie verändert sich nicht.
B: Sie verschwindet.
C: Sie erweitert sich.
D: Sie verengt sich.
Integrierte Schaltkreise
A: die Zusammenschaltung einzelner Baugruppen zu einem elektronischen Gerät.
B: eine aus einzelnen Bauteilen aufgebaute vergossene Schaltung.
C: eine komplexe Schaltung auf einem Halbleitersubstrat.
D: eine miniaturisierte, aus SMD-Bauteilen aufgebaute Schaltung.
Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC)
A: Ein MMIC enthält alle aktiven und passiven Bauteile auf einer Leiterplatte.
B: Ein MMIC enthält nur aktive Bauteile auf einem Halbleiter-Substrat.
C: Ein MMIC enthält alle aktiven und passiven Bauteile auf einem Halbleiter-Substrat.
D: Ein MMIC enthält nur passive Bauteile auf einem Halbleiter-Substrat.
A: Ein MMIC bietet einstellbare Eingangs- und Ausgangsimpedanz.
B: Ein MMIC bietet breitbandig eine hohe Verstärkung mit weniger Bauteilen.
C: Ein MMIC bietet schmalbandig eine hohe Verstärkung in einem Bauteil.
D: Ein MMIC bietet einen hohen Eingangswiderstand und einen niedrigen Ausgangswiderstand.
A: Die Verstärkung ist bereits ab
B: Sie sind nur im Mikrowellenbereich einsetzbar.
C: Ein- und Ausgangsimpedanz entsprechen üblichen Leitungsimpedanzen (z. B.
D: Der Verstärkungsbereich ist schmalbandig.
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $U_{\textrm{D}} = 4V$
- gegeben: $U_{\textrm{CC}} = 13,5V$
- gegeben: $I_{\textrm{D}} = 10mA$
- gesucht: $R_{\textrm{BIAS}}$
$R_{\textrm{BIAS}} = \frac{U_{\textrm{CC}} – U_{\textrm{D}}}{I_{\textrm{D}}} = \frac{13,5V -4V}{10mA} = 950\Omega$
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $U_{\textrm{D}} = 4V$
- gegeben: $U_{\textrm{CC}} = 13,8V$
- gegeben: $I_{\textrm{D}} = 15mA$
- gesucht: $R_{\textrm{BIAS}}$
$R_{\textrm{BIAS}} = \frac{U_{\textrm{CC}} – U_{\textrm{D}}}{I_{\textrm{D}}} = \frac{13,8V -4V}{15mA} = 653,3\Omega \rightarrow 680\Omega$
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $U = 9V$
- gegeben: $R_{\textrm{BIAS}} = 470\Omega$
- gegeben: $U_{\textrm{D}} = 4V$
- gesucht: $P$
- Ansatz: Strom durch $R_{\textrm{BIAS}}$ ist überall gleich, weil kein anderer ohmschmer Verbraucher in der Schaltung vorhanden ist
$I_{\textrm{D}} = \frac{U_{\textrm{BIAS}}}{R_{\textrm{BIAS}}} = \frac{U-U_{\textrm{D}}}{R_{\textrm{BIAS}}} = \frac{9V-4V}{470\Omega} = 10,64mA$
$P = U_{\textrm{D}} \cdot I_{\textrm{D}} = 4V \cdot 10,64mA \approx 43mW$