Bauelemente
Phase
A: $\dfrac{3π}{4};
B: $3π;
C: $\dfrac{π}{3};
D: $\dfrac{3π}{2};
A:
B:
C:
D:
Kondensator II
A: Der Strom eilt der Spannung um
B: Der Strom eilt der Spannung um
C: Die Spannung eilt dem Strom um
D: Die Spannung eilt dem Strom um
A: positiv und unabhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
B: negativ und abhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
C: positiv und abhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
D: negativ und unabhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
A: Der Blindwiderstand
B: Der Wirkwiderstand
C: Der Metalloxidwiderstand
D: Der NTC-Widerstand
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $C = 10pF$
- gegeben: $f = 100MHz$
- gesucht: $X_{\textrm{C}}$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 100MHz \cdot 10pF}\\ &\approx 159\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $C = 100pF$
- gegeben: $f = 100MHz$
- gesucht: $X_{\textrm{C}}$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 100MHz \cdot 100pF}\\ &\approx 15,9\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $C = 50pF$
- gegeben: $f = 145MHz$
- gesucht: $X_{\textrm{C}}$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 145MHz \cdot 50pF}\\ &\approx 22\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $C = 100pF$
- gegeben: $f = 435MHz$
- gesucht: $X_{\textrm{C}}$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 435MHz \cdot 100pF}\\ &\approx 3,7\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $U = 16V$
- gegeben: $I = 32mA$
- gegeben: $f = 50Hz$
- gesucht: $C$
$X_{\textrm{C}} = \frac{U}{I} = \frac{16V}{32mA} = 500\Omega$
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} \\ \nonumber \Rightarrow C &= \frac{1}{\omega \cdot X_{\textrm{C}}} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot X_{\textrm{C}}}\\ \nonumber &= \frac{1}{2\pi \cdot 50Hz \cdot 500\Omega}\\ \nonumber &\approx 6,37\mu F\end{align}\end{equation}$$
A: Ja, infolge von Verlusten in Dielektrikum und Zuleitung
B: Nein, bei Wechselstrom treten keine Verluste auf.
C: Ja, infolge des Blindwiderstands
D: Nein, beim Kondensator handelt es sich um eine reine Blindleistung.
A: den relativen Verlustwiderstand in Ohm pro Farad angegeben, mit dem die Kondensatorgüte berechnet werden kann.
B: den Verlustfaktor cos $\phi$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
C: den Verlustfaktor tan $\delta$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
D: den relativen Blindwiderstand in Ohm pro Farad angegeben, mit dem die Kondensatorgüte berechnet werden kann.
A:
B:
C: Näherungsweise
D:
Spule II
A: Farad
B: Henry
C: Siemens
D: Ohm
A: um
B: um
C: um
D: um
A: negativ und unabhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
B: positiv und abhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
C: negativ und abhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
D: positiv und unabhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
A: Beim Betrieb mit Wechselspannung wirkt nur der Wechselstromwiderstand der Spule. Beim Betrieb mit Gleichspannung wird nur der ohmsche Widerstand $X_{\textrm{L}}$ wirksam. Der Strom wird größer.
B: Beim Betrieb mit Gleichspannung wirkt nur der Gleichstromwiderstand der Spule. Beim Betrieb mit Wechselspannung wirkt nur der kleinere induktive Widerstand $X_{\textrm{L}}$. Der Strom wird größer.
C: Beim Betrieb mit Gleich- oder Wechselspannung wirkt nur der ohmsche Widerstand $X_{\textrm{L}}$ der Spule. Der Strom bleibt gleich.
D: Beim Betrieb mit Gleichspannung wirkt nur der Gleichstromwiderstand der Spule. Beim Betrieb mit Wechselspannung wird der induktive Widerstand $X_{\textrm{L}}$ wirksam und erhöht den Gesamtwiderstand. Der Strom wird kleiner.
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $L = 3\mu H$
- gegeben: $f = 100MHz$
- gesucht: $X_{\textrm{L}}$
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{L}} &= \omega \cdot L = 2\pi \cdot f \cdot L\\ &= 2\pi \cdot 100MHz \cdot 3\mu H\\ &\approx 1885\Omega \end{split}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $N = 14$
- gegeben: $A_{\textrm{L}} = 1,5nH$
- gesucht: $L$
$$\begin{equation}\begin{split}L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ &= 14^2 \cdot 1,5nH\\ &= 0,294\mu H \end{split}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $N = 300$
- gegeben: $A_{\textrm{L}} = 1250nH$
- gesucht: $L$
$$\begin{equation}\begin{split}L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ &= 300^2 \cdot 1250nH\\ &= 112,5mH \end{split}\end{equation}$$
A: 3
B: 2828
C: 89
D: 53
Lösungsweg
- gegeben: $L = 2mH$
- gegeben: $A_{\textrm{L}} = 250nH$
- gesucht: $N$
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ \nonumber N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}}}} = \sqrt{\frac{2mH}{250nH}} \\ \nonumber &= 89 \textrm{Windungen} \end{align}\end{equation}$$
A: 360
B: 6
C: 400
D: 20
Lösungsweg
- gegeben: $L = 12\mu H$
- gegeben: $A_{\textrm{L}} = 30nH$
- gesucht: $N$
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ \nonumber N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}}}} = \sqrt{\frac{12\mu H}{30nH}} \\ \nonumber &= 20 \textrm{Windungen} \end{align}\end{equation}$$
A: der Verlustfaktor tan $\delta$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
B: der relative Verlustwiderstand in Ohm pro Henry angegeben, mit dem die Spulengüte berechnet werden kann.
C: der Verlustfaktor cos $\varphi$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
D: der relative Blindwiderstand in Ohm pro Henry angegeben, mit dem die Spulengüte berechnet werden kann.
A: einen hohlen Kupferkern aufweisen.
B: in einem isolierenden Kunststoffgehäuse untergebracht werden.
C: einen abgestimmten Kunststoffkern aufweisen.
D: in einem leitenden Metallgehäuse untergebracht werden.
A: diamagnetischem Material bestehen.
B: Ferrit bestehen.
C: Kunststoff bestehen.
D: Stahl bestehen.
Übertrager II
A: ein veränderlicher Strom durch die Spule fließt und sich dabei ein dielektrischer Gegenstand innerhalb der Spule befindet.
B: sich die Spule in einem konstanten Magnetfeld befindet.
C: ein konstanter Gleichstrom durch eine magnetisch gekoppelte benachbarte Spule fließt.
D: ein veränderlicher Strom durch eine magnetisch gekoppelte benachbarte Spule fließt.
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $U_P = 230V$
- gegeben: $U_S = 6V$
- gegeben: $I_S = 1,15A$
- gesucht: $I_P$
$$\begin{equation}\begin{align} \nonumber \frac{U_P}{U_S} &= \frac{I_S}{I_P} \\ \nonumber \Rightarrow I_P &= \frac{I_S \cdot U_S}{U_P} = \frac{1,15A \cdot 6V}{230V} \\ \nonumber &= 30mA \end{align}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $Z_S = 16k\Omega$
- gegeben: $ü = \frac{1}{4}$
- gesucht: $Z_P$
$$\begin{equation}\begin{align} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} \\ \nonumber \Rightarrow Z_P &= ü^2 \cdot Z_S = \frac{1^2}{4^2} \cdot 16k\Omega \\ \nonumber &= \frac{16k\Omega}{16} = 1k\Omega \end{align}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $Z_S = 6,4k\Omega$
- gegeben: $ü = \frac{1}{4}$
- gesucht: $Z_P$
$$\begin{equation}\begin{align} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} \\ \nonumber \Rightarrow Z_P &= ü^2 \cdot Z_S = \frac{1^2}{4^2} \cdot 6,4k\Omega \\ \nonumber &= \frac{6,4k\Omega}{16} = 0,4k\Omega \end{align}\end{equation}$$
A: 4:1 verwendet werden.
B: 9:1 verwendet werden.
C: 16:1 verwendet werden.
D: 3:1 verwendet werden.
Lösungsweg
- gegeben: $Z_P = 450\Omega$
- gegeben: $Z_S = 50\Omega$
- gesucht: $ü$
$$\begin{equation}\begin{split} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{450\Omega}{50\Omega}} \\ &= \sqrt{\frac{9}{1}} = \frac{3}{1} \end{split}\end{equation}$$
A: 1:14 aufweisen.
B: 1:49 aufweisen.
C: 1:3 aufweisen.
D: 1:7 aufweisen.
Lösungsweg
- gegeben: $Z_P = 50\Omega$
- gegeben: $Z_S = 2,5k\Omega$
- gesucht: $ü$
$$\begin{equation}\begin{split} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{50\Omega}{2,5k\Omega}} \\ &= \sqrt{\frac{1}{50}} \approx \frac{1}{7} \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $d = 0,5mm$
- gegeben: Stromdichte $\frac{I}{A} = \frac{2,5A}{1mm^2}$
- gesucht: $I_{max}$
$A_{Dr} = \frac{d^2 \cdot \pi}{4} = \frac{(0,5mm)^2 \cdot \pi}{4} \approx 0,196mm^2$
$I_{max} = \frac{I}{A} \cdot A_{Dr} = \frac{2,5A}{1mm^2} \cdot 0,196mm^2 = 0,49A$
Diode II
A: den Elektronenfluss von P nach N.
B: den Elektronenfluss von N nach P.
C: keinen Stromfluss.
D: die Halbierung des Stromflusses.
A: Die Spannung ist unabhängig von der Temperatur.
B: Die Spannung oszilliert mit steigender Temperatur.
C: Die Spannung steigt bei steigender Temperatur.
D: Die Spannung sinkt bei steigender Temperatur.
A: Sie nimmt mit zunehmender Sperrspannung zu.
B: Sie nimmt mit abnehmendem Durchlassstrom zu.
C: Sie nimmt mit abnehmender Sperrspannung zu.
D: Sie nimmt mit zunehmendem Durchlassstrom zu.
A: Fotowiderstand
B: Blindwiderstand
C: Kapazitätsdiode
D: Fotodiode
A: die galvanische Entkopplung zweier Stromkreise durch Licht.
B: die Signalanzeige durch Licht.
C: die Erzeugung von Gleichstrom durch Licht.
D: die Erzeugung von hochfrequentem Wechselstrom durch Licht.
Transistor II
A: thermisch gesteuert.
B: feldgesteuert.
C: stromgesteuert.
D: spannungsgesteuert.
A: stromgesteuert.
B: spannungsgesteuert.
C: optisch gesteuert.
D: leistungsgesteuert.
A: Emitter
B: Kollektor
C: Gehäuse
D: Basis
A: Gehäuse
B: Basis
C: Emitter
D: Kollektor
A: in Durchlassrichtung.
B: in Sperrrichtung.
C: im Kurzschluss.
D: im Leerlauf.
A: Bipolartransistor
B: Lautsprecher
C: Diode
D: Feldeffekttransistor
A: 1: Selbstleitender P-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstleitender N-Kanal-Sperrschicht-FET
B: 1: Selbstsperrender P-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstsperrender N-Kanal-Sperrschicht-FET
C: 1: Selbstleitender N-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstleitender P-Kanal-Sperrschicht-FET
D: 1: Selbstsperrender N-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstsperrender P-Kanal-Sperrschicht-FET
A: Selbstsperrender N-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
B: Selbstleitender P-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
C: Selbstsperrender P-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
D: Selbstleitender N-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
A: Drain, Gate, Source
B: Gate, Source, Kollektor
C: Emitter, Drain, Source
D: Emitter, Basis, Kollektor
A: 1: Anode, 2: Kollektor, 3: Gate
B: 1: Kollektor, 2: Emitter, 3: Basis
C: 1: Drain, 2: Source, 3: Gate
D: 1: Anode, 2: Kathode, 3: Gate
A: Der Gatestrom steuert den Drainstrom.
B: Der Gatestrom steuert den Widerstand des Kanals zwischen Source und Drain.
C: Die Gate-Source-Spannung steuert den Widerstand des Kanals zwischen Source und Drain.
D: Die Gate-Source-Spannung steuert den Gatestrom.
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $U = 12V$
- gegeben: $I_{\textrm{C}} = 5mA$
- gegeben: $B = 298$
- gegeben: $U_{\textrm{BE}} = 0,6V$
- gesucht: $R_1$
$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{5mA}{298} = 16,779\mu A$
$R_1 = \frac{U-U_{\textrm{BE}}}{I_{\textrm{B}}} = \frac{12V – 0,6V}{16,779\mu A} \approx 680k\Omega$
A: Damit der Arbeitspunkt stabil bleibt.
B: Damit sich der Basisstrom bei Erwärmung nicht ändert.
C: Damit $R_2$ eine Stromgegenkopplung bewirkt.
D: Damit $R_2$ eine Spannungsgegenkopplung bewirkt
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $U = 10V$
- gegeben: $I_{\textrm{C}} = 2mA$
- gegeben: $B = 200$
- gegeben: $U_{\textrm{R2}} = 0,6$
- gegeben: $I_{\textrm{R2}} = 10 \cdot I_{\textrm{B}}$
- gesucht: $R_1$
$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{2mA}{200} = 10\mu A$
$U_{\textrm{R1}} = U – U_{\textrm{R2}} = 10V – 0,6V = 9,4V$
$I_{\textrm{R1}} = I_{\textrm{B}} + I_{\textrm{R2}} = I_{\textrm{B}} + 10 \cdot I_{\textrm{B}} = 110\mu A$
$R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{9,4V}{110\mu A} \approx 85,5k\Omega$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Lösungsweg
- gegeben: $U = 10V$
- gegeben: $I_{\textrm{C}} = 2mA$
- gegeben: $B = 200$
- gegeben: $U_{\textrm{BE}} = 0,6V$
- gegeben: $U_{\textrm{RE}} = 1V$
- gegeben: $I_{\textrm{R2}} = 10 \cdot I_{\textrm{B}}$
- gesucht: $R_1$
$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{2mA}{200} = 10\mu A$
$U_{\textrm{R2}} = U_{\textrm{BE}} + U_{R_{\textrm{E}}} = 0,6V + 1V = 1,6V$
$U_{\textrm{R1}} = U – U_{\textrm{R2}} = 10V – 1,6V = 8,4V$
$I_{\textrm{R1}} = I_{\textrm{B}} + I_{\textrm{R2}} = I_{\textrm{B}} + 10 \cdot I_{\textrm{B}} = 110\mu A$
$R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{8,4V}{110\mu A} \approx 76,4k\Omega$
A: Es fließt kein Kollektorstrom mehr. Die Kollektorspannung steigt auf die Betriebsspannung an.
B: Der Kollektorstrom wird nur durch $R_{\textrm{C}}$ begrenzt. Die Kollektorspannung sinkt auf zirka
C: Es fließt Kurzschlussstrom. Der Transistor wird zerstört.
D: Der Kollektorstrom steigt stark an. Die Kollektorspannung erhöht sich.
A: Es fließt kein Kollektorstrom mehr. Die Kollektorspannung steigt auf die Betriebsspannung an.
B: Der Kollektorstrom steigt stark an. Die Kollektorspannung erhöht sich.
C: Es fließt Kurzschlussstrom. Der Transistor wird zerstört.
D: Der Kollektorstrom wird nur durch $R_{\textrm{C}}$ begrenzt. Die Kollektorspannung sinkt auf zirka
A:
B:
C:
D:
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
A:
B:
C:
D:
Halbleiter II
A: Sie wandern von P nach N.
B: Sie wandern von N nach P.
C: Sie bleiben im N-Bereich.
D: Sie zerfallen beim Übergang.
A: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Leiter. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bor, Phosphor) oder bei hohen Temperaturen nimmt jedoch ihre Leitfähigkeit ab.
B: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Isolatoren. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bor, Phosphor) oder bei hohen Temperaturen werden sie jedoch zu Leitern.
C: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Elektrolyten. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bismut, Tellur) kann man daraus entweder N-leitendes- oder P-leitendes Material für Anoden bzw. Kathoden von Batterien herstellen.
D: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Leiter. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bismut, Tellur) fällt ihr Widerstand auf den halben Wert.
A: Das Entfernen von Atomen aus dem Halbleitergrundstoff, um die elektrische Leitfähigkeit zu senken.
B: Das Einbringen von magnetischen Nord- oder Südpolen in einen Halbleitergrundstoff, um die Induktivität zu erhöhen.
C: Das Entfernen von Verunreinigungen aus einem Halbleitergrundstoff, um Elektronen zu generieren.
D: Das Einbringen von chemisch anderswertigen Fremdatomen in einen Halbleitergrundstoff, um freie Ladungsträger zur Verfügung zu stellen.
A: einen Überschuss an beweglichen Elektronenlöchern.
B: ein Fehlen von Dotierungsatomen.
C: ein Fehlen von Atomen im Gitter des Halbleiterkristalls.
D: einen Überschuss an beweglichen Elektronen.
A: ein Fehlen von Atomen im Gitter des Halbleiterkristalls.
B: ein Fehlen von Dotierungsatomen.
C: einen Überschuss an beweglichen Elektronenlöchern.
D: einen Überschuss an beweglichen Elektronen.
A: An der Grenzschicht wandern Elektronen aus dem P-Teil in den N-Teil. Dadurch wird auf der P-Seite der Elektronenüberschuss teilweise abgebaut, auf der N-Seite der Elektronenmangel teilweise neutralisiert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine isolierende Schicht.
B: An der Grenzschicht wandern Atome aus dem N-Teil in den P-Teil. Dadurch wird auf der N-Seite der Atommangel abgebaut, auf der P-Seite der Atommangel vergrößert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine leitende Schicht.
C: An der Grenzschicht wandern Atome aus dem P-Teil in den N-Teil. Dadurch wird auf der P-Seite der Atommangel abgebaut, auf der N-Seite der Atommangel vergrößert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine leitende Schicht.
D: An der Grenzschicht wandern Elektronen aus dem N-Teil in den P-Teil. Dadurch wird auf der N-Seite der Elektronenüberschuss teilweise abgebaut, auf der P-Seite der Elektronenmangel teilweise neutralisiert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine isolierende Schicht.
A: Sie verengt sich.
B: Sie verändert sich nicht.
C: Sie verschwindet.
D: Sie erweitert sich.
Integrierte Schaltkreise
A:
B:
C:
D:
Lösungsweg
- gegeben: $U_{\textrm{D}} = 4V$
- gegeben: $U_{\textrm{CC}} = 13,5V$
- gegeben: $I_{\textrm{BIAS}} = 10mA$
- gesucht: $R_{\textrm{BIAS}}$
$R_{\textrm{BIAS}} = \frac{U_{\textrm{CC}} – U_{\textrm{D}}}{I_{\textrm{BIAS}}} = \frac{13,5V -4V}{10mA} = 950\Omega$
A:
B:
C:
D:
A:
B:
C:
D:
A: eine komplexe Schaltung auf einem Halbleitersubstrat.
B: eine miniaturisierte, aus SMD-Bauteilen aufgebaute Schaltung.
C: eine aus einzelnen Bauteilen aufgebaute vergossene Schaltung.
D: die Zusammenschaltung einzelner Baugruppen zu einem elektronischen Gerät.
A: Ein MMIC enthält nur aktive Bauteile auf einem Halbleiter-Substrat.
B: Ein MMIC enthält alle aktiven und passiven Bauteile auf einer Leiterplatte.
C: Ein MMIC enthält alle aktiven und passiven Bauteile auf einem Halbleiter-Substrat.
D: Ein MMIC enthält nur passive Bauteile auf einem Halbleiter-Substrat.
A: Ein MMIC bietet schmalbandig eine hohe Verstärkung in einem Bauteil.
B: Ein MMIC bietet einstellbare Eingangs- und Ausgangsimpedanz.
C: Ein MMIC bietet breitbandig eine hohe Verstärkung mit weniger Bauteilen.
D: Ein MMIC bietet einen hohen Eingangswiderstand und einen niedrigen Ausgangswiderstand.
A: Sie sind nur im Mikrowellenbereich einsetzbar.
B: Ein- und Ausgangsimpedanz entsprechen üblichen Leitungsimpedanzen (z. B.
C: Die Verstärkung ist bereits ab
D: Der Verstärkungsbereich ist schmalbandig.