$C = \dfrac{Q}{U}$
$C = \dfrac{\varepsilon_0 \cdot \varepsilon_r \cdot A}{d}$
A: Henry (H)
B: Ohm ($\Omega$)
C: Amperestunden (Ah)
D: Farad (F)
A: Dielektrikum
B: Plattenfläche
C: Plattenabstand
D: Spannung
A: einen größeren Plattenabstand.
B: größere Plattenflächen.
C: eine größere Spannung.
D: eine größere Dielektrizitätskonstante des Dielektrikums.
A: Bei Vergrößerung der Plattenoberfläche
B: Bei Vergrößerung der Dielektrizitätszahl
C: Bei Vergrößerung des Plattenabstandes
D: Bei Erhöhung der angelegten Spannung
A: Keramischer Kondensator
B: Drehkondensator
C: Rotorkondensator
D: Styroflexkondensator
A: Styroflexkondensator
B: Plattenkondensator
C: Keramikkondensator
D: Elektrolytkondensator
A: Er steigt.
B: Er sinkt.
C: Er steigt bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
D: Er sinkt bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
A: Nein, beispielsweise im Vakuum entstehen keine Induktivitäten.
B: Ja, solange der Blindwiderstand
C: Ja, jeder Leiter besitzt, unabhängig von der Form, eine Induktivität.
D: Nein, der Leiter muss wenigstens eine Krümmung (eine viertel, halbe oder ganze Windung) haben.
$L = \dfrac{N\cdot \Phi}{I}$
$L = \dfrac{\mu_0 \cdot \mu_r \cdot N^2 \cdot A_S}{l}$
A: Farad (F)
B: Amperestunden (Ah)
C: Ohm ($\Omega$)
D: Henry (H)
A: Die Induktivität sinkt auf
B: Die Induktivität sinkt auf
C: Die Induktivität steigt auf
D: Die Induktivität steigt auf
A:
B:
C:
D:
A: Durch Einbau der Spule in einen Abschirmbecher.
B: Durch Auseinanderziehen der Spule in Längsrichtung.
C: Durch Stauchen der Spule in Längsrichtung.
D: Durch Einführen eines Kupferkerns in die Spule.
A: leuchtet Lampe 2 zuerst.
B: leuchtet Lampe 2 kurz auf und geht wieder aus. Lampe 1 leuchtet.
C: leuchten Lampe 1 und Lampe 2 genau gleichzeitig.
D: leuchtet Lampe 1 zuerst.
A: Er sinkt bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
B: Er steigt.
C: Er steigt bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
D: Er sinkt.
$ü = \dfrac{N_P}{N_S} = \dfrac{U_P}{U_S}$
A: Etwa
B: Etwa
C: Etwa
D: Etwa
A:
B:
C:
D:
A: 52 Windungen
B: 20 Windungen
C: 180 Windungen
D: 30 Windungen
A: 600 Windungen
B: 30 Windungen
C: 850 Windungen
D: 38 Windungen
A: einen hohen Widerstand.
B: eine hohe Kapazität.
C: eine geringe Impedanz.
D: eine hohe Induktivität.
A: zur Speicherung von Wechselströmen
B: zur Gleichrichtung von Wechselspannung
C: als Widerstand in Netzteilen
D: als Verstärker in Stromversorgungen
A: Germanium zwischen 0,2 bis
B: Germanium zwischen 0,6 bis
C: Germanium zwischen 0,6 bis
D: Germanium zwischen 1,4 bis
A: Sehr niedrige Durchlassspannung und sehr niedrige Schaltfrequenz.
B: Sehr hohe Durchlassspannung und sehr hohe Schaltfrequenz.
C: Sehr niedrige Durchlassspannung und sehr hohe Schaltfrequenz.
D: Sehr hohe Durchlassspannung und sehr niedrige Schaltfrequenz.
A: Schottkydiode
B: Siliziumdiode
C: Germaniumdiode
D: Leuchtdiode
A: Siliziumdiode
B: Schottkydiode
C: Leuchtdiode
D: Germaniumdiode
A: Siliziumdiode
B: Leuchtdiode
C: Germaniumdiode
D: Schottkydiode
A: Schottkydiode
B: Germaniumdiode
C: Leuchtdiode
D: Siliziumdiode
A: An der Anode liegen
B: An der Anode liegen
C: An der Anode liegen
D: An der Anode liegen
A: Leistungsüberwachung
B: Leuchtanzeige
C: Spannungserhöhung
D: Stromgewinnung
A:
B:
C:
D:
A:
B:
C:
D:
A: Kapazitätsdiode
B: Leuchtdiode
C: Z-Diode
D: Freilaufdiode
A: Zur Leistungsstabilisierung
B: Zur Zweiwegstabilisierung
C: Zur Spannungsstabilisierung
D: Zur Stromstabilisierung
A: Stromgewinnung
B: Spannungsstabilisierung
C: Leuchtanzeige
D: Spannungserhöhung
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca. 3,41 \milliOhm
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
A: ein Halbleiterbauelement.
B: ein Kaltleiterbauelement.
C: ein Laserbauelement.
D: ein Nichtleiterbauelement.
A: Drain, Gate, Source
B: Gate, Source, Kollektor
C: Emitter, Basis, Kollektor
D: Emitter, Drain, Source
Merksatz für PNP → Pfeil Nach Platte
A: P-Kanal-FET.
B: PNP-Transistor.
C: N-Kanal-FET.
D: NPN-Transistor.
A: N-Kanal-FET.
B: PNP-Transistor.
C: NPN-Transistor.
D: P-Kanal-FET.
A: 1 = Kollektor, 2 = Emitter, 3 = Basis
B: 1 = Basis, 2 = Emitter, 3 = Kollektor
C: 1 = Kollektor, 2 = Basis, 3 = Emitter
D: 1 = Emitter, 2 = Basis, 3 = Kollektor
A: Transistor
B: Diode
C: Transformator
D: Kondensator
A: Mit einem geringen Emitterstrom wird ein großer Kollektorstrom gesteuert.
B: Mit einem geringen Kollektorstrom wird ein großer Emitterstrom gesteuert.
C: Mit einem geringen Emitterstrom wird ein großer Basisstrom gesteuert.
D: Mit einem geringen Basisstrom wird ein großer Kollektorstrom gesteuert.
Je Art des bipolaren Transistor hat man verschiedene Polaritäten.
Die Steuerspannung liegt wie bei einer Siliziumdiode bei etwa
A: -
B:
C:
D:
Da neben dem Kollektorstrom auch der Basisstrom durch den Transistor fließt, fließt durch den Emitteranschluss der größte Strom.
A: Basis
B: Emitter
C: Kollektor
D: Gehäuse
Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im positiven Potential vor?
Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele:
Entweder erkennet man das intuitiv oder man rechnet es (unter Beachtung der Vorzeichen) aus.
$U_{ BE } = U_{ B } – U_{ E }$
Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im negativen Potential vor?
Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele:
Entweder erkennet man das intuitiv oder man rechnet es (unter Beachtung der Vorzeichen) aus.
$U_{ BE } = U_{ B } – U_{ E }$
Die bisher behandelten Transistoren nennt man Bipolare Transistoren. Sie sind die Art der Transistoren, die in den 50er Jahren eine technische Revolution einläuteten und die Elektronenröhre ablösten. Im Gegensatz zu den stromgesteuerten Bipolartransistoren sind Feldeffekttransistoren (FET) spannungsgesteuert, es fließt also kein Steuerstrom in ihn hinein. Mit diesen werden wir uns im Klasse A Kurs intensiver auseinandersetzen.
A: Isolierschicht-FETs
B: Sperrschicht-FETs
C: Dual-Gate-MOS-FETs
D: NPN- und PNP-Transistoren