Diese Navigationshilfe zeigt die ersten Schritte zur Verwendung der Präsention. Sie kann mit ⟶ (Pfeiltaste rechts) übersprungen werden.
Zwischen den Folien und Abschnitten kann man mittels der Pfeiltasten hin- und herspringen, dazu kann man auch die Pfeiltasten am Computer nutzen.
Mit ein paar Tastenkürzeln können weitere Funktionen aufgerufen werden. Die wichtigsten sind:
Die Präsentation ist zweidimensional aufgebaut. Dadurch sind in Spalten die einzelnen Abschnitte eines Kapitels und in den Reihen die Folien zu den Abschnitten.
Tippt man ein „o“ ein, bekommt man eine Übersicht über alle Folien des jeweiligen Kapitels. Das hilft sich zunächst einen Überblick zu verschaffen oder sich zu orientieren, wenn man das Gefühlt hat sich „verlaufen“ zu haben. Die Navigation erfolgt über die Pfeiltasten.
Durch Anklicken einer Folie wird diese präsentiert.
Tippt man ein „s“ ein, bekommt man ein neues Fenster, die Referentenansicht.
Indem man „Layout“ auswählt, kann man zwischen verschieden Anordnungen der Elemente auswählen.
Die Referentenansicht bietet folgende Elemente:
Tippt man ein „f“ ein, wird die aktuelle Folie im Vollbild angezeigt. Mit „Esc“ kann man diesen wieder verlassen.
Das ist insbesondere für den Bildschirm mit der Präsentation für das Publikum praktisch.
Tippt man ein „b“ ein, wird die Präsentation ausgeblendet.
Sie kann wie folgte wieder eingeblendet werden:
Bei gedrückter Alt-Taste und einem Mausklick in der Präsentation wird in diesen Teil hineingezoomt. Das ist praktisch, um Details von Schaltungen hervorzuheben. Durh einen nochmaligen Mausklick zusammen mit Alt wird wieder herausgezoomt.
Das Zoomen funktioniert nur im ausgewählten Fenster. Die Referentenansicht ist hier nicht mit dem Präsenationsansicht gesynct.
$C = \dfrac{Q}{U}$
$C = \dfrac{\varepsilon_0 \cdot \varepsilon_r \cdot A}{d}$
A: Henry (H)
B: Farad (F)
C: Ohm ($\Omega$)
D: Amperestunden (Ah)
A: Dielektrikum
B: Plattenabstand
C: Spannung
D: Plattenfläche
A: einen größeren Plattenabstand.
B: eine größere Spannung.
C: eine größere Dielektrizitätskonstante des Dielektrikums.
D: größere Plattenflächen.
A: Bei Vergrößerung der Dielektrizitätszahl
B: Bei Erhöhung der angelegten Spannung
C: Bei Vergrößerung des Plattenabstandes
D: Bei Vergrößerung der Plattenoberfläche
A: Keramischer Kondensator
B: Drehkondensator
C: Styroflexkondensator
D: Rotorkondensator
A: Styroflexkondensator
B: Plattenkondensator
C: Keramikkondensator
D: Elektrolytkondensator
A: Er sinkt bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
B: Er steigt.
C: Er sinkt.
D: Er steigt bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
A: $\dfrac{3π}{4};
B: $\dfrac{π}{3};
C: $\dfrac{3π}{2};
D: $3π;
A:
B:
C:
D:
A: Der Strom eilt der Spannung um
B: Die Spannung eilt dem Strom um
C: Die Spannung eilt dem Strom um
D: Der Strom eilt der Spannung um
A: negativ und abhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
B: negativ und unabhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
C: positiv und abhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
D: positiv und unabhängig von der Kapazität und der anliegenden Frequenz.
A: Der Metalloxidwiderstand
B: Der NTC-Widerstand
C: Der Blindwiderstand
D: Der Wirkwiderstand
A:
B:
C:
D:
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 100MHz \cdot 10pF}\\ &\approx 159\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 100MHz \cdot 100pF}\\ &\approx 15,9\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 145MHz \cdot 50pF}\\ &\approx 22\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 435MHz \cdot 100pF}\\ &\approx 3,7\Omega \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
$X_{\textrm{C}} = \frac{U}{I} = \frac{16V}{32mA} = 500\Omega$
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} \\ \nonumber \Rightarrow C &= \frac{1}{\omega \cdot X_{\textrm{C}}} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot X_{\textrm{C}}}\\ \nonumber &= \frac{1}{2\pi \cdot 50Hz \cdot 500\Omega}\\ \nonumber &\approx 6,37\mu F\end{align}\end{equation}$$
A: Nein, bei Wechselstrom treten keine Verluste auf.
B: Ja, infolge des Blindwiderstands
C: Nein, beim Kondensator handelt es sich um eine reine Blindleistung.
D: Ja, infolge von Verlusten in Dielektrikum und Zuleitung
A: den relativen Verlustwiderstand in Ohm pro Farad angegeben, mit dem die Kondensatorgüte berechnet werden kann.
B: den Verlustfaktor tan $\delta$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
C: den relativen Blindwiderstand in Ohm pro Farad angegeben, mit dem die Kondensatorgüte berechnet werden kann.
D: den Verlustfaktor cos $\phi$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
A:
B:
C: Näherungsweise
D:
A: Ja, solange der Blindwiderstand
B: Ja, jeder Leiter besitzt, unabhängig von der Form, eine Induktivität.
C: Nein, der Leiter muss wenigstens eine Krümmung (eine viertel, halbe oder ganze Windung) haben.
D: Nein, beispielsweise im Vakuum entstehen keine Induktivitäten.
$L = \dfrac{N\cdot \Phi}{I}$
$L = \dfrac{\mu_0 \cdot \mu_r \cdot N^2 \cdot A_S}{l}$
A: Farad (F)
B: Amperestunden (Ah)
C: Ohm ($\Omega$)
D: Henry (H)
A: Die Induktivität sinkt auf
B: Die Induktivität steigt auf
C: Die Induktivität steigt auf
D: Die Induktivität sinkt auf
A:
B:
C:
D:
A: Durch Auseinanderziehen der Spule in Längsrichtung.
B: Durch Einführen eines Kupferkerns in die Spule.
C: Durch Stauchen der Spule in Längsrichtung.
D: Durch Einbau der Spule in einen Abschirmbecher.
A: leuchtet Lampe 2 zuerst.
B: leuchten Lampe 1 und Lampe 2 genau gleichzeitig.
C: leuchtet Lampe 2 kurz auf und geht wieder aus. Lampe 1 leuchtet.
D: leuchtet Lampe 1 zuerst.
A: Er steigt.
B: Er sinkt.
C: Er steigt bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
D: Er sinkt bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
A: Siemens
B: Ohm
C: Henry
D: Farad
A: um
B: um
C: um
D: um
A: negativ und abhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
B: negativ und unabhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
C: positiv und unabhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
D: positiv und abhängig von der Induktivität und der anliegenden Frequenz.
A: Beim Betrieb mit Gleich- oder Wechselspannung wirkt nur der ohmsche Widerstand $X_{\textrm{L}}$ der Spule. Der Strom bleibt gleich.
B: Beim Betrieb mit Gleichspannung wirkt nur der Gleichstromwiderstand der Spule. Beim Betrieb mit Wechselspannung wirkt nur der kleinere induktive Widerstand $X_{\textrm{L}}$. Der Strom wird größer.
C: Beim Betrieb mit Gleichspannung wirkt nur der Gleichstromwiderstand der Spule. Beim Betrieb mit Wechselspannung wird der induktive Widerstand $X_{\textrm{L}}$ wirksam und erhöht den Gesamtwiderstand. Der Strom wird kleiner.
D: Beim Betrieb mit Wechselspannung wirkt nur der Wechselstromwiderstand der Spule. Beim Betrieb mit Gleichspannung wird nur der ohmsche Widerstand $X_{\textrm{L}}$ wirksam. Der Strom wird größer.
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber X_{\textrm{L}} &= \omega \cdot L = 2\pi \cdot f \cdot L\\ &= 2\pi \cdot 100MHz \cdot 3\mu H\\ &\approx 1885\Omega \end{split}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ &= 14^2 \cdot 1,5nH\\ &= 0,294\mu H \end{split}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
$$\begin{equation}\begin{split}\nonumber L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ &= 300^2 \cdot 1250nH\\ &= 112,5mH \end{split}\end{equation}$$
A: 2828
B: 3
C: 89
D: 53
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ \nonumber N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}}}} = \sqrt{\frac{2mH}{250nH}} \\ \nonumber &= 89\ \textrm{Windungen} \end{align}\end{equation}$$
A: 20
B: 6
C: 360
D: 400
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ \nonumber N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}}}} = \sqrt{\frac{12\mu H}{30nH}} \\ \nonumber &= 20\ \textrm{Windungen} \end{align}\end{equation}$$
A: der Verlustfaktor cos $\varphi$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
B: der relative Blindwiderstand in Ohm pro Henry angegeben, mit dem die Spulengüte berechnet werden kann.
C: der relative Verlustwiderstand in Ohm pro Henry angegeben, mit dem die Spulengüte berechnet werden kann.
D: der Verlustfaktor tan $\delta$ angegeben, der dem Kehrwert des Gütefaktors entspricht.
A: einen hohlen Kupferkern aufweisen.
B: einen abgestimmten Kunststoffkern aufweisen.
C: in einem isolierenden Kunststoffgehäuse untergebracht werden.
D: in einem leitenden Metallgehäuse untergebracht werden.
A: Kunststoff bestehen.
B: Stahl bestehen.
C: diamagnetischem Material bestehen.
D: Ferrit bestehen.
$ü = \dfrac{N_P}{N_S} = \dfrac{U_P}{U_S}$
A: Etwa
B: Etwa
C: Etwa
D: Etwa
A:
B:
C:
D:
A: 52 Windungen
B: 180 Windungen
C: 30 Windungen
D: 20 Windungen
A: 30 Windungen
B: 600 Windungen
C: 850 Windungen
D: 38 Windungen
A: ein veränderlicher Strom durch eine magnetisch gekoppelte benachbarte Spule fließt.
B: ein konstanter Gleichstrom durch eine magnetisch gekoppelte benachbarte Spule fließt.
C: sich die Spule in einem konstanten Magnetfeld befindet.
D: ein veränderlicher Strom durch die Spule fließt und sich dabei ein dielektrischer Gegenstand innerhalb der Spule befindet.
A:
B:
C:
D:
$$\begin{equation}\begin{align} \nonumber \frac{U_P}{U_S} &= \frac{I_S}{I_P} \\ \nonumber \Rightarrow I_P &= \frac{I_S \cdot U_S}{U_P} = \frac{1,15A \cdot 6V}{230V} \\ \nonumber &= 30mA \end{align}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
$$\begin{equation}\begin{align} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} \\ \nonumber \Rightarrow Z_P &= ü^2 \cdot Z_S = \frac{1^2}{4^2} \cdot 16k\Omega \\ \nonumber &= \frac{16k\Omega}{16} = 1k\Omega \end{align}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
$$\begin{equation}\begin{align} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} \\ \nonumber \Rightarrow Z_P &= ü^2 \cdot Z_S = \frac{1^2}{4^2} \cdot 6,4k\Omega \\ \nonumber &= \frac{6,4k\Omega}{16} = 0,4k\Omega \end{align}\end{equation}$$
A: 4:1 verwendet werden.
B: 16:1 verwendet werden.
C: 3:1 verwendet werden.
D: 9:1 verwendet werden.
$$\begin{equation}\begin{split} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{450\Omega}{50\Omega}} \\ &= \sqrt{\frac{9}{1}} = \frac{3}{1} \end{split}\end{equation}$$
A: 1:7 aufweisen.
B: 1:49 aufweisen.
C: 1:14 aufweisen.
D: 1:3 aufweisen.
$$\begin{equation}\begin{split} \nonumber ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{50\Omega}{2,5k\Omega}} \\ &= \sqrt{\frac{1}{50}} \approx \frac{1}{7} \end{split}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
$A_{Dr} = \frac{d^2 \cdot \pi}{4} = \frac{(0,5mm)^2 \cdot \pi}{4} \approx 0,196mm^2$
$I_{max} = \frac{I}{A} \cdot A_{Dr} = \frac{2,5A}{1mm^2} \cdot 0,196mm^2 = 0,49A$
A: einen hohen Widerstand.
B: eine hohe Induktivität.
C: eine hohe Kapazität.
D: eine geringe Impedanz.
A: als Widerstand in Netzteilen
B: als Verstärker in Stromversorgungen
C: zur Gleichrichtung von Wechselspannung
D: zur Speicherung von Wechselströmen
A: Germanium zwischen 1,4 bis
B: Germanium zwischen 0,6 bis
C: Germanium zwischen 0,2 bis
D: Germanium zwischen 0,6 bis
A: Sehr niedrige Durchlassspannung und sehr niedrige Schaltfrequenz.
B: Sehr hohe Durchlassspannung und sehr hohe Schaltfrequenz.
C: Sehr hohe Durchlassspannung und sehr niedrige Schaltfrequenz.
D: Sehr niedrige Durchlassspannung und sehr hohe Schaltfrequenz.
A: Leuchtdiode
B: Schottkydiode
C: Germaniumdiode
D: Siliziumdiode
A: Germaniumdiode
B: Schottkydiode
C: Siliziumdiode
D: Leuchtdiode
A: Leuchtdiode
B: Schottkydiode
C: Siliziumdiode
D: Germaniumdiode
A: Leuchtdiode
B: Siliziumdiode
C: Schottkydiode
D: Germaniumdiode
A: An der Anode liegen
B: An der Anode liegen
C: An der Anode liegen
D: An der Anode liegen
A: Stromgewinnung
B: Spannungserhöhung
C: Leuchtanzeige
D: Leistungsüberwachung
A:
B:
C:
D:
A:
B:
C:
D:
A: Kapazitätsdiode
B: Z-Diode
C: Leuchtdiode
D: Freilaufdiode
A: Zur Zweiwegstabilisierung
B: Zur Spannungsstabilisierung
C: Zur Stromstabilisierung
D: Zur Leistungsstabilisierung
A: Leuchtanzeige
B: Stromgewinnung
C: Spannungsstabilisierung
D: Spannungserhöhung
A: ca.
B: ca.
C: ca. 3,41 \milliOhm
D: ca.
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
A: den Elektronenfluss von P nach N.
B: den Elektronenfluss von N nach P.
C: keinen Stromfluss.
D: die Halbierung des Stromflusses.
A: Die Spannung oszilliert mit steigender Temperatur.
B: Die Spannung steigt bei steigender Temperatur.
C: Die Spannung sinkt bei steigender Temperatur.
D: Die Spannung ist unabhängig von der Temperatur.
A: Sie nimmt mit abnehmendem Durchlassstrom zu.
B: Sie nimmt mit zunehmendem Durchlassstrom zu.
C: Sie nimmt mit abnehmender Sperrspannung zu.
D: Sie nimmt mit zunehmender Sperrspannung zu.
A: Fotodiode
B: Kapazitätsdiode
C: Fotowiderstand
D: Blindwiderstand
A: die galvanische Entkopplung zweier Stromkreise durch Licht.
B: die Signalanzeige durch Licht.
C: die Erzeugung von Gleichstrom durch Licht.
D: die Erzeugung von hochfrequentem Wechselstrom durch Licht.
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
A: ein Nichtleiterbauelement.
B: ein Kaltleiterbauelement.
C: ein Laserbauelement.
D: ein Halbleiterbauelement.
A: Gate, Source, Kollektor
B: Drain, Gate, Source
C: Emitter, Basis, Kollektor
D: Emitter, Drain, Source
Merksatz für PNP → Pfeil Nach Platte
A: P-Kanal-FET.
B: NPN-Transistor.
C: N-Kanal-FET.
D: PNP-Transistor.
A: P-Kanal-FET.
B: N-Kanal-FET.
C: PNP-Transistor.
D: NPN-Transistor.
A: 1 = Emitter, 2 = Basis, 3 = Kollektor
B: 1 = Basis, 2 = Emitter, 3 = Kollektor
C: 1 = Kollektor, 2 = Basis, 3 = Emitter
D: 1 = Kollektor, 2 = Emitter, 3 = Basis
A: Kondensator
B: Transformator
C: Transistor
D: Diode
A: Mit einem geringen Emitterstrom wird ein großer Basisstrom gesteuert.
B: Mit einem geringen Kollektorstrom wird ein großer Emitterstrom gesteuert.
C: Mit einem geringen Basisstrom wird ein großer Kollektorstrom gesteuert.
D: Mit einem geringen Emitterstrom wird ein großer Kollektorstrom gesteuert.
Je Art des bipolaren Transistor hat man verschiedene Polaritäten.
Die Steuerspannung liegt wie bei einer Siliziumdiode bei etwa
A: -
B:
C:
D:
Da neben dem Kollektorstrom auch der Basisstrom durch den Transistor fließt, fließt durch den Emitteranschluss der größte Strom.
A: Emitter
B: Gehäuse
C: Basis
D: Kollektor
Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im positiven Potential vor?
Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele:
Entweder erkennet man das intuitiv oder man rechnet es (unter Beachtung der Vorzeichen) aus.
$U_{ BE } = U_{ B } – U_{ E }$
Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im negativen Potential vor?
Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele:
Entweder erkennet man das intuitiv oder man rechnet es (unter Beachtung der Vorzeichen) aus.
$U_{ BE } = U_{ B } – U_{ E }$
Die bisher behandelten Transistoren nennt man Bipolare Transistoren. Sie sind die Art der Transistoren, die in den 50er Jahren eine technische Revolution einläuteten und die Elektronenröhre ablösten. Im Gegensatz zu den stromgesteuerten Bipolartransistoren sind Feldeffekttransistoren (FET) spannungsgesteuert, es fließt also kein Steuerstrom in ihn hinein. Mit diesen werden wir uns im Klasse A Kurs intensiver auseinandersetzen.
A: Isolierschicht-FETs
B: Dual-Gate-MOS-FETs
C: Sperrschicht-FETs
D: NPN- und PNP-Transistoren
A: feldgesteuert.
B: stromgesteuert.
C: spannungsgesteuert.
D: thermisch gesteuert.
A: Emitter
B: Basis
C: Kollektor
D: Gehäuse
A: Gehäuse
B: Kollektor
C: Emitter
D: Basis
A: im Leerlauf.
B: in Durchlassrichtung.
C: im Kurzschluss.
D: in Sperrrichtung.
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{5mA}{298} = 16,779\mu A$
$R_1 = \frac{U-U_{\textrm{BE}}}{I_{\textrm{B}}} = \frac{12V – 0,6V}{16,779\mu A} \approx 680k\Omega$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{2mA}{200} = 10\mu A$
$U_{\textrm{R1}} = U – U_{\textrm{R2}} = 10V – 0,6V = 9,4V$
$I_{\textrm{R1}} = I_{\textrm{B}} + I_{\textrm{R2}} = I_{\textrm{B}} + 10 \cdot I_{\textrm{B}} = 110\mu A$
$R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{9,4V}{110\mu A} \approx 85,5k\Omega$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{2mA}{200} = 10\mu A$
$U_{\textrm{R2}} = U_{\textrm{BE}} + U_{R_{\textrm{E}}} = 0,6V + 1V = 1,6V$
$U_{\textrm{R1}} = U – U_{\textrm{R2}} = 10V – 1,6V = 8,4V$
$I_{\textrm{R1}} = I_{\textrm{B}} + I_{\textrm{R2}} = I_{\textrm{B}} + 10 \cdot I_{\textrm{B}} = 110\mu A$
$R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{8,4V}{110\mu A} \approx 76,4k\Omega$
A: Damit sich der Basisstrom bei Erwärmung nicht ändert.
B: Damit $R_2$ eine Spannungsgegenkopplung bewirkt
C: Damit $R_2$ eine Stromgegenkopplung bewirkt.
D: Damit der Arbeitspunkt stabil bleibt.
A: Es fließt kein Kollektorstrom mehr. Die Kollektorspannung steigt auf die Betriebsspannung an.
B: Es fließt Kurzschlussstrom. Der Transistor wird zerstört.
C: Der Kollektorstrom steigt stark an. Die Kollektorspannung erhöht sich.
D: Der Kollektorstrom wird nur durch $R_{\textrm{C}}$ begrenzt. Die Kollektorspannung sinkt auf zirka
A: Es fließt Kurzschlussstrom. Der Transistor wird zerstört.
B: Der Kollektorstrom wird nur durch $R_{\textrm{C}}$ begrenzt. Die Kollektorspannung sinkt auf zirka
C: Der Kollektorstrom steigt stark an. Die Kollektorspannung erhöht sich.
D: Es fließt kein Kollektorstrom mehr. Die Kollektorspannung steigt auf die Betriebsspannung an.
A: stromgesteuert.
B: spannungsgesteuert.
C: leistungsgesteuert.
D: optisch gesteuert.
A: Diode
B: Bipolartransistor
C: Feldeffekttransistor
D: Lautsprecher
A: 1: Anode, 2: Kathode, 3: Gate
B: 1: Drain, 2: Source, 3: Gate
C: 1: Anode, 2: Kollektor, 3: Gate
D: 1: Kollektor, 2: Emitter, 3: Basis
A: Emitter, Drain, Source
B: Emitter, Basis, Kollektor
C: Drain, Gate, Source
D: Gate, Source, Kollektor
A: Die Gate-Source-Spannung steuert den Widerstand des Kanals zwischen Source und Drain.
B: Der Gatestrom steuert den Drainstrom.
C: Der Gatestrom steuert den Widerstand des Kanals zwischen Source und Drain.
D: Die Gate-Source-Spannung steuert den Gatestrom.
A: 1: Selbstsperrender P-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstsperrender N-Kanal-Sperrschicht-FET
B: 1: Selbstleitender N-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstleitender P-Kanal-Sperrschicht-FET
C: 1: Selbstleitender P-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstleitender N-Kanal-Sperrschicht-FET
D: 1: Selbstsperrender N-Kanal-Sperrschicht-FET 2: Selbstsperrender P-Kanal-Sperrschicht-FET
A: Selbstsperrender N-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
B: Selbstleitender P-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
C: Selbstsperrender P-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
D: Selbstleitender N-Kanal-Isolierschicht-FET (MOSFET).
A:
B:
C:
D:
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{B}}} &= \frac{R_2}{R_1+R_2}\\ \nonumber \Rightarrow U_{\textrm{R2}} &= \frac{R_2}{R_1+R_2} \cdot U_{\textrm{G}}\\ \nonumber &= \frac{1k\Omega}{10k\Omega+1k\Omega} \cdot 44V\\ \nonumber &= \frac{1}{11} \cdot 44V = 4V \end{align}\end{equation}$$
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
$$\begin{equation}\begin{align}\nonumber \frac{U_{\textrm{R1}}}{U_{\textrm{R2}}} &= \frac{R_1}{R_2}\\ \nonumber \Rightarrow R_2 &= R_1 \cdot \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{R1}}}\\ \nonumber &= R_1 \cdot \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{B}}-U_{\textrm{GS}}}\\ \nonumber &= 10k\Omega \cdot \frac{2,8V}{44V-2,8V}\\ \nonumber &\approx 680\Omega \end{align}\end{equation}$$
A:
B:
C:
D:
$P = I^2 \cdot R = 25^2A \cdot 4m\Omega = 2,5W$
A: Sie wandern von P nach N.
B: Sie wandern von N nach P.
C: Sie zerfallen beim Übergang.
D: Sie bleiben im N-Bereich.
A: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Leiter. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bismut, Tellur) fällt ihr Widerstand auf den halben Wert.
B: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Isolatoren. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bor, Phosphor) oder bei hohen Temperaturen werden sie jedoch zu Leitern.
C: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Leiter. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bor, Phosphor) oder bei hohen Temperaturen nimmt jedoch ihre Leitfähigkeit ab.
D: Einige Stoffe (z. B. Silizium) sind in reinem Zustand bei Raumtemperatur gute Elektrolyten. Durch geringfügige Zusätze von geeigneten anderen Stoffen (z. B. Bismut, Tellur) kann man daraus entweder N-leitendes- oder P-leitendes Material für Anoden bzw. Kathoden von Batterien herstellen.
A: Das Entfernen von Atomen aus dem Halbleitergrundstoff, um die elektrische Leitfähigkeit zu senken.
B: Das Einbringen von magnetischen Nord- oder Südpolen in einen Halbleitergrundstoff, um die Induktivität zu erhöhen.
C: Das Entfernen von Verunreinigungen aus einem Halbleitergrundstoff, um Elektronen zu generieren.
D: Das Einbringen von chemisch anderswertigen Fremdatomen in einen Halbleitergrundstoff, um freie Ladungsträger zur Verfügung zu stellen.
A: einen Überschuss an beweglichen Elektronenlöchern.
B: einen Überschuss an beweglichen Elektronen.
C: ein Fehlen von Atomen im Gitter des Halbleiterkristalls.
D: ein Fehlen von Dotierungsatomen.
A: einen Überschuss an beweglichen Elektronen.
B: ein Fehlen von Dotierungsatomen.
C: ein Fehlen von Atomen im Gitter des Halbleiterkristalls.
D: einen Überschuss an beweglichen Elektronenlöchern.
A: An der Grenzschicht wandern Elektronen aus dem N-Teil in den P-Teil. Dadurch wird auf der N-Seite der Elektronenüberschuss teilweise abgebaut, auf der P-Seite der Elektronenmangel teilweise neutralisiert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine isolierende Schicht.
B: An der Grenzschicht wandern Atome aus dem P-Teil in den N-Teil. Dadurch wird auf der P-Seite der Atommangel abgebaut, auf der N-Seite der Atommangel vergrößert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine leitende Schicht.
C: An der Grenzschicht wandern Atome aus dem N-Teil in den P-Teil. Dadurch wird auf der N-Seite der Atommangel abgebaut, auf der P-Seite der Atommangel vergrößert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine leitende Schicht.
D: An der Grenzschicht wandern Elektronen aus dem P-Teil in den N-Teil. Dadurch wird auf der P-Seite der Elektronenüberschuss teilweise abgebaut, auf der N-Seite der Elektronenmangel teilweise neutralisiert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine isolierende Schicht.
A: Sie verschwindet.
B: Sie verändert sich nicht.
C: Sie erweitert sich.
D: Sie verengt sich.
A: eine aus einzelnen Bauteilen aufgebaute vergossene Schaltung.
B: die Zusammenschaltung einzelner Baugruppen zu einem elektronischen Gerät.
C: eine miniaturisierte, aus SMD-Bauteilen aufgebaute Schaltung.
D: eine komplexe Schaltung auf einem Halbleitersubstrat.
A: Ein MMIC enthält nur aktive Bauteile auf einem Halbleiter-Substrat.
B: Ein MMIC enthält alle aktiven und passiven Bauteile auf einer Leiterplatte.
C: Ein MMIC enthält nur passive Bauteile auf einem Halbleiter-Substrat.
D: Ein MMIC enthält alle aktiven und passiven Bauteile auf einem Halbleiter-Substrat.
A: Ein MMIC bietet schmalbandig eine hohe Verstärkung in einem Bauteil.
B: Ein MMIC bietet einen hohen Eingangswiderstand und einen niedrigen Ausgangswiderstand.
C: Ein MMIC bietet breitbandig eine hohe Verstärkung mit weniger Bauteilen.
D: Ein MMIC bietet einstellbare Eingangs- und Ausgangsimpedanz.
A: Der Verstärkungsbereich ist schmalbandig.
B: Sie sind nur im Mikrowellenbereich einsetzbar.
C: Ein- und Ausgangsimpedanz entsprechen üblichen Leitungsimpedanzen (z. B.
D: Die Verstärkung ist bereits ab
A:
B:
C:
D:
$R_{\textrm{BIAS}} = \frac{U_{\textrm{CC}} – U_{\textrm{D}}}{I_{\textrm{D}}} = \frac{13,5V -4V}{10mA} = 950\Omega$
A:
B:
C:
D:
$R_{\textrm{BIAS}} = \frac{U_{\textrm{CC}} – U_{\textrm{D}}}{I_{\textrm{D}}} = \frac{13,8V -4V}{15mA} = 653,3\Omega \rightarrow 680\Omega$
A:
B:
C:
D:
$I_{\textrm{D}} = \frac{U_{\textrm{BIAS}}}{R_{\textrm{BIAS}}} = \frac{U-U_{\textrm{D}}}{R_{\textrm{BIAS}}} = \frac{9V-4V}{470\Omega} = 10,64mA$
$P = U_{\textrm{D}} \cdot I_{\textrm{D}} = 4V \cdot 10,64mA \approx 43mW$