Diese Navigationshilfe zeigt die ersten Schritte zur Verwendung der Präsention. Sie kann mit ⟶ (Pfeiltaste rechts) übersprungen werden.
Zwischen den Folien und Abschnitten kann man mittels der Pfeiltasten hin- und herspringen, dazu kann man auch die Pfeiltasten am Computer nutzen.
Mit ein paar Tastenkürzeln können weitere Funktionen aufgerufen werden. Die wichtigsten sind:
Die Präsentation ist zweidimensional aufgebaut. Dadurch sind in Spalten die einzelnen Abschnitte eines Kapitels und in den Reihen die Folien zu den Abschnitten.
Tippt man ein „o“ ein, bekommt man eine Übersicht über alle Folien des jeweiligen Kapitels. Das hilft sich zunächst einen Überblick zu verschaffen oder sich zu orientieren, wenn man das Gefühlt hat sich „verlaufen“ zu haben. Die Navigation erfolgt über die Pfeiltasten.
Durch Anklicken einer Folie wird diese präsentiert.
Tippt man ein „s“ ein, bekommt man ein neues Fenster, die Referentenansicht.
Indem man „Layout“ auswählt, kann man zwischen verschieden Anordnungen der Elemente auswählen.
Die Referentenansicht bietet folgende Elemente:
Tippt man ein „f“ ein, wird die aktuelle Folie im Vollbild angezeigt. Mit „Esc“ kann man diesen wieder verlassen.
Das ist insbesondere für den Bildschirm mit der Präsentation für das Publikum praktisch.
Tippt man ein „b“ ein, wird die Präsentation ausgeblendet.
Sie kann wie folgte wieder eingeblendet werden:
Bei gedrückter Alt-Taste und einem Mausklick in der Präsentation wird in diesen Teil hineingezoomt. Das ist praktisch, um Details von Schaltungen hervorzuheben. Durh einen nochmaligen Mausklick zusammen mit Alt wird wieder herausgezoomt.
Das Zoomen funktioniert nur im ausgewählten Fenster. Die Referentenansicht ist hier nicht mit dem Präsenationsansicht gesynct.
$C = \dfrac{Q}{U}$
$C = \dfrac{\varepsilon_0 \cdot \varepsilon_r \cdot A}{d}$
A: Henry (H)
B: Farad (F)
C: Amperestunden (Ah)
D: Ohm ($\Omega$)
A: Dielektrikum
B: Plattenabstand
C: Plattenfläche
D: Spannung
A: eine größere Dielektrizitätskonstante des Dielektrikums.
B: größere Plattenflächen.
C: einen größeren Plattenabstand.
D: eine größere Spannung.
A: Bei Vergrößerung der Dielektrizitätszahl
B: Bei Vergrößerung der Plattenoberfläche
C: Bei Erhöhung der angelegten Spannung
D: Bei Vergrößerung des Plattenabstandes
A: Keramischer Kondensator
B: Drehkondensator
C: Rotorkondensator
D: Styroflexkondensator
A: Styroflexkondensator
B: Keramikkondensator
C: Plattenkondensator
D: Elektrolytkondensator
A: Er steigt bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
B: Er sinkt bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
C: Er steigt.
D: Er sinkt.
A: Nein, der Leiter muss wenigstens eine Krümmung (eine viertel, halbe oder ganze Windung) haben.
B: Nein, beispielsweise im Vakuum entstehen keine Induktivitäten.
C: Ja, jeder Leiter besitzt, unabhängig von der Form, eine Induktivität.
D: Ja, solange der Blindwiderstand
$L = \dfrac{N\cdot \Phi}{I}$
$L = \dfrac{\mu_0 \cdot \mu_r \cdot N^2 \cdot A_S}{l}$
A: Amperestunden (Ah)
B: Henry (H)
C: Farad (F)
D: Ohm ($\Omega$)
A: Die Induktivität sinkt auf
B: Die Induktivität steigt auf
C: Die Induktivität steigt auf
D: Die Induktivität sinkt auf
A:
B:
C:
D:
A: Durch Einbau der Spule in einen Abschirmbecher.
B: Durch Einführen eines Kupferkerns in die Spule.
C: Durch Auseinanderziehen der Spule in Längsrichtung.
D: Durch Stauchen der Spule in Längsrichtung.
A: leuchtet Lampe 2 kurz auf und geht wieder aus. Lampe 1 leuchtet.
B: leuchtet Lampe 1 zuerst.
C: leuchten Lampe 1 und Lampe 2 genau gleichzeitig.
D: leuchtet Lampe 2 zuerst.
A: Er sinkt bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
B: Er sinkt.
C: Er steigt.
D: Er steigt bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
$ü = \dfrac{N_P}{N_S} = \dfrac{U_P}{U_S}$
A: Etwa
B: Etwa
C: Etwa
D: Etwa
A:
B:
C:
D:
A: 180 Windungen
B: 20 Windungen
C: 52 Windungen
D: 30 Windungen
A: 850 Windungen
B: 600 Windungen
C: 38 Windungen
D: 30 Windungen
A: einen hohen Widerstand.
B: eine geringe Impedanz.
C: eine hohe Induktivität.
D: eine hohe Kapazität.
A: zur Gleichrichtung von Wechselspannung
B: als Verstärker in Stromversorgungen
C: zur Speicherung von Wechselströmen
D: als Widerstand in Netzteilen
A: Germanium zwischen 0,6 bis
B: Germanium zwischen 1,4 bis
C: Germanium zwischen 0,6 bis
D: Germanium zwischen 0,2 bis
A: Sehr niedrige Durchlassspannung und sehr hohe Schaltfrequenz.
B: Sehr niedrige Durchlassspannung und sehr niedrige Schaltfrequenz.
C: Sehr hohe Durchlassspannung und sehr hohe Schaltfrequenz.
D: Sehr hohe Durchlassspannung und sehr niedrige Schaltfrequenz.
A: Siliziumdiode
B: Schottkydiode
C: Leuchtdiode
D: Germaniumdiode
A: Germaniumdiode
B: Siliziumdiode
C: Schottkydiode
D: Leuchtdiode
A: Schottkydiode
B: Leuchtdiode
C: Germaniumdiode
D: Siliziumdiode
A: Siliziumdiode
B: Schottkydiode
C: Leuchtdiode
D: Germaniumdiode
A: An der Anode liegen
B: An der Anode liegen
C: An der Anode liegen
D: An der Anode liegen
A: Spannungserhöhung
B: Stromgewinnung
C: Leistungsüberwachung
D: Leuchtanzeige
A:
B:
C:
D:
A:
B:
C:
D:
A: Z-Diode
B: Leuchtdiode
C: Kapazitätsdiode
D: Freilaufdiode
A: Zur Leistungsstabilisierung
B: Zur Zweiwegstabilisierung
C: Zur Spannungsstabilisierung
D: Zur Stromstabilisierung
A: Leuchtanzeige
B: Spannungserhöhung
C: Stromgewinnung
D: Spannungsstabilisierung
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca. 3,41 \milliOhm
A: ca.
B: ca.
C: ca.
D: ca.
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
A: ein Halbleiterbauelement.
B: ein Laserbauelement.
C: ein Nichtleiterbauelement.
D: ein Kaltleiterbauelement.
A: Emitter, Drain, Source
B: Emitter, Basis, Kollektor
C: Drain, Gate, Source
D: Gate, Source, Kollektor
Merksatz für PNP → Pfeil Nach Platte
A: P-Kanal-FET.
B: PNP-Transistor.
C: N-Kanal-FET.
D: NPN-Transistor.
A: P-Kanal-FET.
B: PNP-Transistor.
C: N-Kanal-FET.
D: NPN-Transistor.
A: 1 = Kollektor, 2 = Basis, 3 = Emitter
B: 1 = Basis, 2 = Emitter, 3 = Kollektor
C: 1 = Emitter, 2 = Basis, 3 = Kollektor
D: 1 = Kollektor, 2 = Emitter, 3 = Basis
A: Transformator
B: Diode
C: Kondensator
D: Transistor
A: Mit einem geringen Emitterstrom wird ein großer Kollektorstrom gesteuert.
B: Mit einem geringen Basisstrom wird ein großer Kollektorstrom gesteuert.
C: Mit einem geringen Kollektorstrom wird ein großer Emitterstrom gesteuert.
D: Mit einem geringen Emitterstrom wird ein großer Basisstrom gesteuert.
Je Art des bipolaren Transistor hat man verschiedene Polaritäten.
Die Steuerspannung liegt wie bei einer Siliziumdiode bei etwa
A:
B:
C: -
D:
Da neben dem Kollektorstrom auch der Basisstrom durch den Transistor fließt, fließt durch den Emitteranschluss der größte Strom.
A: Emitter
B: Basis
C: Kollektor
D: Gehäuse
Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im positiven Potential vor?
Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele:
Entweder erkennet man das intuitiv oder man rechnet es (unter Beachtung der Vorzeichen) aus.
$U_{ BE } = U_{ B } – U_{ E }$
Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im negativen Potential vor?
Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele:
Entweder erkennet man das intuitiv oder man rechnet es (unter Beachtung der Vorzeichen) aus.
$U_{ BE } = U_{ B } – U_{ E }$
Die bisher behandelten Transistoren nennt man Bipolare Transistoren. Sie sind die Art der Transistoren, die in den 50er Jahren eine technische Revolution einläuteten und die Elektronenröhre ablösten. Im Gegensatz zu den stromgesteuerten Bipolartransistoren sind Feldeffekttransistoren (FET) spannungsgesteuert, es fließt also kein Steuerstrom in ihn hinein. Mit diesen werden wir uns im Klasse A Kurs intensiver auseinandersetzen.
A: Isolierschicht-FETs
B: Dual-Gate-MOS-FETs
C: Sperrschicht-FETs
D: NPN- und PNP-Transistoren