Diese Navigationshilfe zeigt die ersten Schritte zur Verwendung der Präsention. Sie kann mit ⟶ (Pfeiltaste rechts) übersprungen werden.
Zwischen den Folien und Abschnitten lässt sich mittels der Pfeiltasten hin- und herspringen, dazu lassen sich auch die Pfeiltasten am Computer nutzen.
Mit ein paar Tastenkürzeln können weitere Funktionen aufgerufen werden. Die wichtigsten sind:
Die Präsentation ist zweidimensional aufgebaut. Dadurch sind in Spalten die einzelnen Abschnitte eines Kapitels und in den Reihen die Folien zu den Abschnitten.
Tippt man ein „o“ ein, bekommt man eine Übersicht über alle Folien des Foliensatzes. Das hilft, sich zunächst einen Überblick zu verschaffen oder sich zu orientieren, wenn man das Gefüht hat, sich „verlaufen“ zu haben. Die Navigation erfolgt über die Pfeiltasten.
Durch Anklicken einer Folie wird diese präsentiert.
Tippt man ein „s“ ein, bekommt man ein neues Fenster, die Referentenansicht.
Indem man „Layout“ auswählt, kann man zwischen verschieden Anordnungen der Elemente auswählen.
Die Referentenansicht bietet folgende Elemente:
Tippt man ein „f“ ein, wird die aktuelle Folie im Vollbild angezeigt. Mit „Esc“ kann man das Vollbild wieder verlassen.
Das ist insbesondere für den Bildschirm mit der Präsentation für das Publikum praktisch.
Tippt man ein „b“ ein, wird die Präsentation ausgeblendet.
Sie kann wie folgt wieder eingeblendet werden:
Bei gedrückter Alt-Taste und einem Mausklick in der Präsentation wird in diesen Teil hineingezoomt. Das ist praktisch, um Details von Schaltungen hervorzuheben. Durch einen nochmaligen Mausklick zusammen mit Alt wird wieder herausgezoomt.
Das Zoomen funktioniert nur im ausgewählten Fenster. Die Referentenansicht ist hier nicht mit der Präsenationsansicht gesynct.
A: Henry (H)
B: Farad (F)
C: Amperestunden (Ah)
D: Ohm ($\Omega$)
A: Plattenfläche
B: Dielektrikum
C: Plattenabstand
D: Spannung
A: eine größere Dielektrizitätskonstante des Dielektrikums.
B: einen größeren Plattenabstand.
C: größere Plattenflächen.
D: eine größere Spannung.
A: Bei Vergrößerung der Plattenoberfläche
B: Bei Vergrößerung des Plattenabstandes
C: Bei Vergrößerung der Dielektrizitätszahl
D: Bei Erhöhung der angelegten Spannung
A: Drehkondensator
B: Keramischer Kondensator
C: Styroflexkondensator
D: Rotorkondensator
A: Keramikkondensator
B: Styroflexkondensator
C: Elektrolytkondensator
D: Plattenkondensator
A: Er sinkt.
B: Er steigt.
C: Er sinkt bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
D: Er steigt bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
A: Nein, beispielsweise im Vakuum entstehen keine Induktivitäten.
B: Ja, solange der Blindwiderstand 0 Ohm beträgt.
C: Ja, jeder Leiter besitzt, unabhängig von der Form, eine Induktivität.
D: Nein, der Leiter muss wenigstens eine Krümmung (eine viertel, halbe oder ganze Windung) haben.
A: Amperestunden (Ah)
B: Farad (F)
C: Henry (H)
D: Ohm ($\Omega$)
A: Die Induktivität steigt auf 24 μH.
B: Die Induktivität sinkt auf 3 μH.
C: Die Induktivität sinkt auf 6 μH.
D: Die Induktivität steigt auf 48 μH.
A: 24 μH
B: 3 μH
C: 48 μH
D: 6 μH
A: Durch Auseinanderziehen der Spule in Längsrichtung.
B: Durch Einbau der Spule in einen Abschirmbecher.
C: Durch Einführen eines Kupferkerns in die Spule.
D: Durch Stauchen der Spule in Längsrichtung.
A: Kupfer und Aluminium sind ferromagnetisch und schwächen das Feld ab.
B: Das leitfähige Metall schließt das Feld kurz, sodass es im Inneren der Spule verschwindet.
C: Das hochfrequente Magnetfeld kann nicht in den Kern eindringen, was den Querschnitt des Feldes verringert.
D: Kupfer und Aluminium sind nicht magnetisch und haben keinen Einfluss auf das Feld.
A: Eisen
B: Aluminium
C: Kupfer
D: Chrom
A: leuchtet Lampe 2 zuerst.
B: leuchtet Lampe 2 kurz auf und geht wieder aus. Lampe 1 leuchtet.
C: leuchtet Lampe 1 zuerst.
D: leuchten Lampe 1 und Lampe 2 genau gleichzeitig.
A: Er steigt bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
B: Er sinkt.
C: Er steigt.
D: Er sinkt bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
A: Etwa 15 V
B: Etwa 11 V
C: Etwa 1 V
D: Etwa 22 V
A: 23 V
B: 1150 V
C: 46 V
D: 9,2 V
A: 180 Windungen
B: 30 Windungen
C: 20 Windungen
D: 52 Windungen
A: 30 Windungen
B: 600 Windungen
C: 850 Windungen
D: 38 Windungen
A: eine hohe Induktivität.
B: einen hohen Widerstand.
C: eine geringe Impedanz.
D: eine hohe Kapazität.
A: als Verstärker in Stromversorgungen
B: zur Gleichrichtung von Wechselspannung
C: zur Speicherung von Wechselströmen
D: als Widerstand in Netzteilen
A: Germanium zwischen 0,6 bis 0,8 V, bei Silizium 1,4 bis 1,6 V.
B: Germanium zwischen 1,4 bis 1,6 V, bei Silizium 0,6 bis 0,8 V.
C: Germanium zwischen 0,6 bis 0,8 V, bei Silizium zwischen 0,2 bis 0,4 V.
D: Germanium zwischen 0,2 bis 0,4 V, bei Silizium zwischen 0,6 bis 0,8 V.
A: Sehr niedrige Durchlassspannung und sehr niedrige Schaltfrequenz.
B: Sehr hohe Durchlassspannung und sehr hohe Schaltfrequenz.
C: Sehr niedrige Durchlassspannung und sehr hohe Schaltfrequenz.
D: Sehr hohe Durchlassspannung und sehr niedrige Schaltfrequenz.
A: Schottkydiode
B: Siliziumdiode
C: Leuchtdiode
D: Germaniumdiode
A: Schottkydiode
B: Germaniumdiode
C: Leuchtdiode
D: Siliziumdiode
A: Siliziumdiode
B: Schottkydiode
C: Leuchtdiode
D: Germaniumdiode
A: Siliziumdiode
B: Schottkydiode
C: Germaniumdiode
D: Leuchtdiode
A: An der Anode liegen 5,0 V, an der Kathode 5,7 V an.
B: An der Anode liegen 5,0 V, an der Kathode 5,1 V an.
C: An der Anode liegen 5,7 V, an der Kathode 6,4 V an.
D: An der Anode liegen 5,7 V, an der Kathode 5,0 V an.
A: Leistungsüberwachung
B: Spannungserhöhung
C: Stromgewinnung
D: Leuchtanzeige
A: 180 Ohm.
B: 70 Ohm.
C: 250 Ohm.
D: 320 Ohm.
A: 70 Ohm/0,1 W
B: 70 Ohm/0,06 W
C: 150 Ohm/0,06 W
D: 150 Ohm/0,1 W
A: Leuchtdiode
B: Kapazitätsdiode
C: Freilaufdiode
D: Z-Diode
A: Zur Spannungsstabilisierung
B: Zur Zweiwegstabilisierung
C: Zur Leistungsstabilisierung
D: Zur Stromstabilisierung
A: Leuchtanzeige
B: Spannungserhöhung
C: Spannungsstabilisierung
D: Stromgewinnung
A: ca. 167 Ohm
B: ca. 293 Ohm
C: ca. 3,41 \milliOhm
D: ca. 460 Ohm
A: ca. 364 Ohm.
B: ca. 188 Ohm.
C: ca. 202 Ohm.
D: ca. 235 Ohm.
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
Die Funktion kann man sich so vorstellen:
A: ein Halbleiterbauelement.
B: ein Laserbauelement.
C: ein Nichtleiterbauelement.
D: ein Kaltleiterbauelement.
A: Gate, Source, Kollektor
B: Drain, Gate, Source
C: Emitter, Basis, Kollektor
D: Emitter, Drain, Source
Merksatz für PNP $\rightarrow$ Pfeil Nach Platte
A: PNP-Transistor.
B: P-Kanal-FET.
C: NPN-Transistor.
D: N-Kanal-FET.
A: NPN-Transistor.
B: P-Kanal-FET.
C: N-Kanal-FET.
D: PNP-Transistor.
A: 1 = Kollektor, 2 = Basis, 3 = Emitter
B: 1 = Basis, 2 = Emitter, 3 = Kollektor
C: 1 = Kollektor, 2 = Emitter, 3 = Basis
D: 1 = Emitter, 2 = Basis, 3 = Kollektor
A: Transformator
B: Kondensator
C: Transistor
D: Diode
A: Mit einem geringen Basisstrom wird ein großer Kollektorstrom gesteuert.
B: Mit einem geringen Emitterstrom wird ein großer Kollektorstrom gesteuert.
C: Mit einem geringen Kollektorstrom wird ein großer Emitterstrom gesteuert.
D: Mit einem geringen Emitterstrom wird ein großer Basisstrom gesteuert.
Je Art des bipolaren Transistor hat man verschiedene Polaritäten.
Die Steuerspannung liegt wie bei einer Siliziumdiode bei etwa $\qty{0,6}{\volt}$.
A: 0,6 V
B: 0 V
C: 0,6 V oder -0,6 V
D: -0,6 V
Da neben dem Kollektorstrom auch der Basisstrom durch den Transistor fließt, fließt durch den Emitteranschluss der größte Strom.
A: Gehäuse
B: Emitter
C: Basis
D: Kollektor
Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im positiven Potential vor? Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele:
Entweder erkennt man das intuitiv oder man rechnet es (unter Beachtung der Vorzeichen) aus.
$$U_{ BE } = U_{ B } - U_{ E }$$Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im negativen Potential vor? Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele:
Entweder erkennt man das intuitiv oder man rechnet es (unter Beachtung der Vorzeichen) aus.
$$U_{ BE } = U_{ B } - U_{ E }$$Die bisher behandelten Transistoren nennt man Bipolare Transistoren. Sie sind die Art der Transistoren, die in den 50er Jahren eine technische Revolution einläuteten und die Elektronenröhre ablösten. Im Gegensatz zu den stromgesteuerten Bipolartransistoren sind Feldeffekttransistoren (FET) spannungsgesteuert, es fließt also kein Steuerstrom in ihn hinein. Mit diesen werden wir uns im Klasse A Kurs intensiver auseinandersetzen.
A: NPN- und PNP-Transistoren
B: Dual-Gate-MOS-FETs
C: Sperrschicht-FETs
D: Isolierschicht-FETs